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本发明公开了一种高发光效率氮化物LED器件，LED材料为蓝宝石基底，在蓝宝石基底上依次逐层生长GaN外延缓冲层、N‑GaN层、InGaN/GaN MQWs、P‑GaN层和、ITO层；在p‑GaN层刻蚀周期性等腰三角形光栅结构，在p‑GaN光栅结构上沉积一层ITO作为过渡层；在ITO层的表层刻蚀周期性等腰三角形结构，在ITO表层的等腰三角形光栅之间制作20nm厚的Ag光栅以激发SP；在ITO层表面蒸镀金属制作P型电极，在n‑GaN层制作N型电极。本发明能够提高LED的内量子效率和光提取率，还能降低器件载流子寿命，提高发光效率。

📄 2018100052837 📂 H01L33_60 👤 北京玖铱科技有限公司 📅 2018-01-03

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一种高发光效率氮化物LED器件

2018100052837 · 北京玖铱科技有限公司

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固态锂电池电解质专利包

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CRISPR基因编辑技术

转让方：××大学
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SiC功率器件工艺专利

转让方：××半导体有限公司
受让方：××汽车电子集团
交易类型：转让
交易金额：¥680万

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钙钛矿光伏组件技术

转让方：××科技公司
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