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本发明公开一种具有强极化空穴注入层的氮化物半导体发光二极管，依次包括衬底、第一导电型半导体，量子阱，V-pits，和第二导电型半导体，在V-pits侧壁上生长强极化空穴注入层，在强极化空穴注入层之间生长V-pits填充层，所述的强极化空穴注入层为BxAl1-xN/SczIn1-zN、BxInyGa1-x-yN/SczAlkGa1-z-kN、BxSczGa1-x-zN/InyAlkGa1-y-kN、BxAlkGa1-x-kN/SczInyGa1-y-zN超晶格的任意一个或任意组合，所述V-pits侧壁强极化空穴注入层形成强极化系数m，其中m≥3.0 cm-2，形成V-pits侧壁高空穴浓度，并提升空穴的能量，使空穴可跃过V-pits侧壁的势垒，从而提升V-pits侧壁的空穴注入效率，提升氮化物发光二极管的发光效率。