本发明属于紫外LED技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延芯片正装结构。本发明提供了一种深紫外LED外延芯片正装结构，包括：n型电极、p型电极和外延芯片本体；所述n型电极和所述p型电极设置于所述外延芯片本体的同一侧；所述外延芯片本体包括依次设置的第一衬底、第一外延层和电极板；所述第一外延层包括依次叠加设置的缓冲层、AlN/AlGaN超晶格和n+型AlGaN层，所述缓冲层与所述第一衬底叠加设置；所述n型电极与所述第一衬底电连接，所述p型电极与所述电极板电连接；所述缓冲层为异质结构的BN层或AlN层。
📄 2018116146459
📂 H01L33_12
👤 广东工业大学
📅 2018-12-27
本发明公开了LED灯技术领域，具体涉及一种深紫外LED无机封装底座，包括底座、LED芯片安放槽、阶梯槽、卡槽、透镜、卡环和镀银层；本发明通过在底座上设置上窄下款的环形卡槽，在透镜底部设置与卡槽配合环形的卡环，使用时卡环会受热膨胀而卡在卡槽内，保证了卡环与卡槽之间的气密性；通过在阶梯槽侧壁和卡环外侧壁之间填充有焊锡，进一步保证了透镜与底座之间的气密性；本发明操作方便、实用性强。
📄 2018102190193
📂 H01L33_48
👤 黄璟雯
📅 2018-03-16
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