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本发明公开了一种基于MEMS扫描微镜的发射方向可控的蓝光微LED器件及其制造方法，实现载体为蓝宝石衬底氮化物晶片和绝缘体上硅（SOI）晶片，蓝宝石衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的蓝宝石衬底层，蓝宝石衬底层通过激光剥离技术将其剥离，顶层氮化物和镍/金电极构成阵列式微LED器件，SOI晶圆片顶层设置有MEMS扫描微镜，并通过阳极键合技术将扫描微镜与微LED集成，本发明在MEMS微镜上集成了阵列式微LED，可以做可见光通信或显示用的光源，也可以在可见光通信里作为光电接收模块。

本实用新型涉及一种具有侧壁场板的发光二极管器件结构。侧壁场板结构由绝缘层和覆盖于绝缘层上的阳极电极构成；绝缘层覆盖于发光二极管台面中的电流扩展层、空穴传输层、电子阻挡层和有源区的侧壁及电子传输层的上表面；发光二极管台面中电子阻挡层到电流扩展层侧壁的绝缘层宽度为0.001～1μm，电子传输层上表面的绝缘层的宽度大于电子阻挡层到电流扩展层的侧壁的绝缘层宽度；利用侧壁场板结构耗尽发光二极管器件边缘载流子，降低器件边缘处载流子浓度的特点，可以减弱器件边缘部位的非辐射复合，使整个器件的载流子得到有效地利用，最终实现发光二极管器件尤其是小尺寸发光二极管器件的光功率的提升。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

本申请提供一种紫外LED外延结构，包括：衬底；依次生长在所述衬底上的未掺杂缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、超晶格结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层；其中，所述超晶格结构包括至少一层第一AlGaN层和至少一层第二AlGaN层，所述第一AlGaN层和所述第二交替叠加。由于在多量子阱与电子阻挡层之间增加设置超晶格结构，超晶格结构能够有效缓解有源区最后一个量子垒与电子阻挡层之间的应变，抑制电子泄漏，增大空穴注入率，从而提高紫外LED的光输出功率和内量子效率，使其呈现更佳的发光性能。

本申请提供一种深紫外LED，包括：衬底；位于所述衬底表面的未掺杂的缓冲层；位于所述未掺杂的缓冲层背离所述衬底表面的N型AlGaN层；位于所述N型AlGaN层背离所述衬底表面的多量子阱结构；位于所述多量子阱结构背离所述衬底表面的V型Al组分渐变的P型AlGaN结构，所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构采用极化掺杂，且其中所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构中的Al组分与所述多量子阱结构的Al组分不同；位于所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构背离所述衬底表面的P型GaN层。由于V型Al组分渐变的P型AlGaN结构能够获得更高浓度的空穴，从而提高紫外LED的内量子效率和发射功率。

本发明公开了一种LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法，其中，制备方法包括：在清洗后的金属衬底表面生长GaN成核层，并在GaN成核层表面生长P型GaN层；在P型GaN层表面生长GaN阻挡层，并在GaN阻挡层表面生长多量子阱层；在多量子阱层上生长N型GaN层，以得到垂直结构的LED外延片。本申请公开的上述技术方案，直接在金属衬底上依次生长GaN成核层、P型GaN层、GaN阻挡层、多量子阱层、及N型GaN层，以得到垂直结构的LED外延片，这样就不需要对LED外延片的衬底进行剥离和键合，因此，则可以提高LED外延片的制备效率，并且可以提高最终所制备出的LED外延片的良品率和内量子效率。

本发明公开一种半导体白光发光二极管，其特征在于所述V‑pits具有第一V‑pits和第二V‑pits，第一V‑pits具有非掺杂的ZnO量子点及其上方的CdSySe1‑y/ZnO核壳结构纳米柱发出红光；第二V‑pits具有非掺杂的ZnO量子点及其上方的ZnSzSe1‑z/ZnO核壳结构纳米柱发出绿光；第一V‑pits和第二V‑pits之间的多量子阱发出蓝光；从而形成红光、绿光和蓝光混合的白光发光二极管。