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本发明涉及一种提高发光效率的GaN基LED外延片及其制备与应用。使用掺镁的铟镓氮和掺镁的氮化镓的多周期重复结构来代替传统的P型掺镁氮化镓层，一方面利用铟镓氮和氮化镓的极化效应产生较高的载流子浓度，不需要再次进行氮气退火。另一方面利用铟镓氮和氮化镓的多周期重复结构产生的表面空洞实现表面粗化，提高了氮化镓发光二极管的发光效率。

📄 2010105707699 📂 H01L33_04 👤 山东华光光电子有限公司 📅 2010-12-02

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提高发光效率的GaN基LED外延片及其制备与应用

2010105707699 · 山东华光光电子有限公司

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