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发明已授权

本发明属于紫外LED技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延芯片正装结构。本发明提供了一种深紫外LED外延芯片正装结构，包括：n型电极、p型电极和外延芯片本体；所述n型电极和所述p型电极设置于所述外延芯片本体的同一侧；所述外延芯片本体包括依次设置的第一衬底、第一外延层和电极板；所述第一外延层包括依次叠加设置的缓冲层、AlN/AlGaN超晶格和n+型AlGaN层，所述缓冲层与所述第一衬底叠加设置；所述n型电极与所述第一衬底电连接，所述p型电极与所述电极板电连接；所述缓冲层为异质结构的BN层或AlN层。

📄 2018116146459 📂 H01L33_12 👤 广东工业大学 📅 2018-12-27

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一种基于SI基GAN的Micro LED的外延

实用新型已授权

本实用新型公开了一种基于Si基GAN的Micro LED的外延结构，所述Micro LED的外延结构的Si基外延从下到上依次包括：Si衬底、单晶ALN缓冲层、ALGaN应力调节层、低掺杂Si浓度的NGaN层、n型AlGan层、高掺杂Si浓度NGan层、MQW层、电子阻挡层、PGan层和接触层；其中，MQW层为至少一个GaN/AlGaN/InGaN层。该结构利于硅基衬底湿法剥离，制备垂直结构Micro LED芯片，节省后制程成本，提高良率。该结构具体限定了ALN层为单晶缓冲ALN层，其有效改善了Micro‑LED的晶体质量和外观缺陷。

📄 2022213095349 📂 H01L33_12 👤 广州市众拓光电科技有限公司 📅 2022-05-26

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一种深紫外LED外延芯片正装结构

一种基于SI基GAN的Micro LED的外延

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