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本发明提供了一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管（UV‑LED），其构成要素自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区和p型AlGaN层。在p型AlGaN层和n型AlGaN层上分别引出p型欧姆电极和n型欧姆电极。在最后一层AlyGa1‑yN量子垒（QB）中间插入禁带宽度比QB更高、但晶格常数和QB相同的AlInGaN插入层，用以取代传统的电子阻挡层（EBL）。采用AlInGaN插入层的UV‑LED可以将最后一层QB与EBL界面由极化场引起的空穴耗尽层转换为空穴积累层，提高空穴注入效率。同时，可以有效减小最后一层QB和p型区之间的能带弯曲，提高电子和空穴波函数的重叠程度，且更容易将电子局限在有源区内，从而提高的载流子辐射发光，最终提高UV‑LED的内量子效率。

本发明公开了一种紫外发光二极管，包括蓝宝石衬底与GaN缓冲层，所述紫外发光二极管包括GaN纳米线层与GaN纳米线融合层；所述GaN纳米线层设置在所述紫外发光二极管的蓝宝石衬底表面；所述GaN纳米线层包括GaN纳米线，所述GaN纳米线的两端分别连接所述GaN纳米线融合层和所述蓝宝石衬底，实现所述GaN纳米线融合层与所述蓝宝石衬底间的电连接；所述GaN纳米线融合层设置在所述GaN纳米线层与所述紫外发光二极管的GaN缓冲层之间。本发明通过将传统的GaN层替换成GaN纳米线层，减少了GaN材料与衬底的接触面积，同时也就减少了接触面间的缺陷和位错，提升了内量子效率，进而提高了元件效率。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的紫外发光二极管的制作方法。