半导体器件制造类专利转让_商标转让

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专利名称：应用于环形天线的Ge基异质固态等离子二极管的制备方法申请号：2016111839048 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：半导体器件制造相似专利发布日：2025/01/02
摘要：本发明涉及一种应用于环形天线的Ge基异质固态等离子二极管的制备方法，包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；在所述GeOI衬底表面形成第二保护层；利用光刻工艺在所述第二保护层上形成第二隔离区图形；利用干法刻蚀工艺在所述第二隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第二保护层及所述GeOI衬底以形成所述P型沟槽和所述N型沟槽；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；在所述GeOI衬底上形成引线，以完成所述Ge基异质固态等离子二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能异质Ge基固态等离子二极管。

专利名称：一种瞬态电压抑制器及其制作方法申请号：2018110936158 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：半导体器件制造 TVS 相似专利发布日：2025/02/24
摘要：本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制作方法，包括：在第一导电类型的衬底中形成第一沟槽和第二沟槽；形成第二导电类型的外延层，包括形成于所述衬底上表面的第一部分，以及分别形成于所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成的第二部分；在所述衬底和所述外延层交界处形成覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽上表面，以及所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述衬底上表面的第一介质层；在所述衬底内形成覆盖所述第一沟槽下表面的第二介质层以及覆盖所述第二沟槽下表面的第三介质层，所述第二介质层和所述第三介质层分别沿着相互背离的方向延伸至所述外延层边缘；在所述外延层上表面形成第一电极；在所述衬底下表面形成第二电极，从而降低了器件制造成本。

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