发明专利已授权

全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法

📄 申请号：CN202110213264.5 📄 发布日：2026/06/29

著录项目信息

申请日

2021-02-25

公开号

CN113035954A

公开日

2021-06-25

申请人

泉芯集成电路制造(济南)有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_78

IPC 分类号

H01L29_78 , H01L29_423 , H01L21_336 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件集成电路制造工艺晶体管

应用场景

集成电路, 逻辑芯片, 高性能计算, 半导体制造, 先进制程

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摘要

本发明的实施例提供了一种全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。全环绕闸极水平贯穿式晶体管包括衬底、隔离层、闸极、绝缘层和器件单元；隔离层生长在衬底上；多个闸极平铺、间隔生长在隔离层上；绝缘层生长在闸极和隔离层上；至少一个器件单元生长在绝缘层上。这样，通过在隔离层上平铺、间隔生长多个闸极，全部的闸极可以一次性同时形成，不存在各个闸极单独形成的情况，也不存在闸极制造顺序不同的情况，各个闸极受到的负载相同，再在闸极和隔离层上生长绝缘层和至少一个器件单元，各个器件单元之间不会存在明显的电性差异。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220902

✅ 授权

20210713

?? 实质审查的生效：

20210625

📄 公开

全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法

当前第 / 件

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