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摘 要:本发明的实施例提供了一种全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法,涉及半导体技术领域。全环绕闸极水平贯穿式晶体管包括衬底、隔离层、闸极、绝缘层和器件单元;隔离层生长在衬底上;多个闸极平铺、间隔生长在隔离层上;绝缘层生长在闸极和隔离层上;至少一个器件单元生长在绝缘层上。这样,通过在隔离层上平铺、间隔生长多个闸极,全部的闸极可以一次性同时形成,不存在各个闸极单独形成的情况,也不存在闸极制造顺序不同的情况,各个闸极受到的负载相同,再在闸极和隔离层上生长绝缘层和至少一个器件单元,各个器件单元之间不会存在明显的电性差异。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110213264.5 | 专利名称: | 全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法 |
申请日: | 2021-02-25 | 申请/专利权人 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/78搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2021-06-25 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113035954A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |