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基于Ga2O3TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件

Name: 基于Ga2O3TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2020101260209
Availability: InStock

📄 申请号：CN202010126020.9 📄 发布日：2026/06/25

著录项目信息

申请日

2020-02-27

公开号

CN111341841A

公开日

2020-06-26

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_423

IPC 分类号

H01L29_423 , H01L29_78 , H01L29_778 , H01L31_101 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件异质结场效应管紫外探测技术

应用场景

紫外探测, 光电子器件, 传感器, 通信系统, 环境监测

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摘要

本发明公开了基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件，至少包括源极、漏极、悬浮栅极以及至少一异质结沟道，源极和漏极通过异质结沟道电连接。其中，AlGaN/GaN异质结构中，AlGaN厚度低于足以产生二维电子气的临界厚度，因此在天然状态下，AlGaN/GaN异质结沟道中不存在二维电子气。在Ga2O3/TiO2悬浮栅结构中，TiO2位于所述AlGaN层之上，所述Ga2O3位于所述TiO2之上。与现有技术相比，本发明具有如下优点：(1)空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。(2)由于光生载流子和沟道电子感应速度极快，又由于二维电子气的高迁移率，所以光电流产生的速度极快，这将提高紫外探测器的响应速度。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN111341841A

购买这项专利需要经过哪些流程？

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该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：60 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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