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| 专利/申请号： | CN202010126020.9 | 专利名称： | 基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件 |
| 申请日： | 2020-02-27 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省杭州市下沙高教园区 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/423 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2020-06-26 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN111341841A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 3 | 所属领域： | 半导体器件制造 光电子器件 紫外探测技术专利转让搜索 |
应用场景：高性能紫外探测设备；半导体传感器产业化应用；异质结场效应管制备
摘 要：本发明公开了基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件，至少包括源极、漏极、悬浮栅极以及至少一异质结沟道，源极和漏极通过异质结沟道电连接。其中，AlGaN/GaN异质结构中，AlGaN厚度低于足以产生二维电子气的临界厚度，因此在天然状态下，AlGaN/GaN异质结沟道中不存在二维电子气。在Ga2O3/TiO2悬浮栅结构中，TiO2位于所述AlGaN层之上，所述Ga2O3位于所述TiO2之上。与现有技术相比，本发明具有如下优点：(1)空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。(2)由于光生载流子和沟道电子感应速度极快，又由于二维电子气的高迁移率，所以光电流产生的速度极快，这将提高紫外探测器的响应速度。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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