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发明专利
已授权
基于Ga2O3TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件
📄 申请号:CN202010126020.9
📄 发布日:2026/06/25
著录项目信息
申请日
2020-02-27
公开号
CN111341841A
公开日
2020-06-26
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L29_423
IPC 分类号
H01L29_423
,
H01L29_78
,
H01L29_778
,
H01L31_101
,
技术画像
所属领域
半导体器件
半导体器件
异质结场效应管
紫外探测技术
应用场景
紫外探测, 光电子器件, 传感器, 通信系统, 环境监测
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摘要
本发明公开了基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件,至少包括源极、漏极、悬浮栅极以及至少一异质结沟道,源极和漏极通过异质结沟道电连接。其中,AlGaN/GaN异质结构中,AlGaN厚度低于足以产生二维电子气的临界厚度,因此在天然状态下,AlGaN/GaN异质结沟道中不存在二维电子气。在Ga2O3/TiO2悬浮栅结构中,TiO2位于所述AlGaN层之上,所述Ga2O3位于所述TiO2之上。与现有技术相比,本发明具有如下优点:(1)空穴和电子的瞬间分离,可以增加光生载流子的寿命,提高探测性能。(2)由于光生载流子和沟道电子感应速度极快,又由于二维电子气的高迁移率,所以光电流产生的速度极快,这将提高紫外探测器的响应速度。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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