发明专利 已授权

基于Ga2O3TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件

📄 申请号:CN202010126020.9 📄 发布日:2026/06/25

著录项目信息

申请日
2020-02-27
公开号
CN111341841A
公开日
2020-06-26
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

紫外探测, 光电子器件, 传感器, 通信系统, 环境监测

摘要

本发明公开了基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件,至少包括源极、漏极、悬浮栅极以及至少一异质结沟道,源极和漏极通过异质结沟道电连接。其中,AlGaN/GaN异质结构中,AlGaN厚度低于足以产生二维电子气的临界厚度,因此在天然状态下,AlGaN/GaN异质结沟道中不存在二维电子气。在Ga2O3/TiO2悬浮栅结构中,TiO2位于所述AlGaN层之上,所述Ga2O3位于所述TiO2之上。与现有技术相比,本发明具有如下优点:(1)空穴和电子的瞬间分离,可以增加光生载流子的寿命,提高探测性能。(2)由于光生载流子和沟道电子感应速度极快,又由于二维电子气的高迁移率,所以光电流产生的速度极快,这将提高紫外探测器的响应速度。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

议价
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