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| 专利/申请号： | CN201610971550.7 | 专利名称： | 具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管 |
| 申请日： | 2016-10-28 | 申请/专利权人 | 沈阳工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L29/78 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2017-05-10 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN106653853A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 5 | 所属领域： | 专利转让搜索 |
摘 要：本发明涉及一种具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管，包括SOI晶圆的硅衬底，SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的绝缘层，SOI晶圆的绝缘层上方为单晶硅，单晶硅的表面上附有栅介质绝缘层，栅介质绝缘层表面附有折叠I形栅电极，栅电极紧贴栅介质绝缘层；单晶硅上表面的两端分别为源电极和漏电极，相邻单晶硅之间以及源电极和漏电极之间由绝缘介质层隔离开；将附在单晶硅上表面靠近两端的绝缘介质层刻蚀掉后形成的通孔中注入金属分别生成源电极和漏电极。在保持正向特性几乎不受影响的情况下具有低反向泄漏电流的特性，因而降低了器件的功耗，适合推广应用。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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