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摘 要:本发明提供了一种晶体管及其制作方法,该制作方法包括:提供一隔绝层;在隔绝层上形成半导体层;在半导体层背离隔绝层的一侧形成阻挡层,所述阻挡层覆盖所述半导体层的隔绝区域;对所述半导体层的其它区域进行掺杂处理形成源极和漏极,所述隔绝区域位于所述源极和所述漏极之间;在所述阻挡层的侧壁形成掩膜层,所述掩膜层覆盖所述源极的部分区域,以及所述漏极的部分区域;进行刻蚀处理以刻蚀掉未被所述掩膜层覆盖的源极区域和漏极区域。通过对源极和漏极区域进行刻蚀处理,在缩小源极和漏极尺寸的情况下,实现了一种更小尺寸更高集成度的晶体管架构。与曝光技术的制作方法相比较而言,在工艺简单的前提下,还可以实现更小尺寸的源极和漏极。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110286665.3 | 专利名称: | 一种晶体管及其制作方法 |
申请日: | 2021-03-17 | 申请/专利权人 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/336搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2023-03-28 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113066725B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |