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| 专利/申请号： | CN202110286665.3 | 专利名称： | 一种晶体管及其制作方法 |
| 申请日： | 2021-03-17 | 申请/专利权人 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L21/336 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2023-03-28 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN113066725B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 30 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本发明提供了一种晶体管及其制作方法，该制作方法包括：提供一隔绝层；在隔绝层上形成半导体层；在半导体层背离隔绝层的一侧形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述半导体层的隔绝区域；对所述半导体层的其它区域进行掺杂处理形成源极和漏极，所述隔绝区域位于所述源极和所述漏极之间；在所述阻挡层的侧壁形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述源极的部分区域，以及所述漏极的部分区域；进行刻蚀处理以刻蚀掉未被所述掩膜层覆盖的源极区域和漏极区域。通过对源极和漏极区域进行刻蚀处理，在缩小源极和漏极尺寸的情况下，实现了一种更小尺寸更高集成度的晶体管架构。与曝光技术的制作方法相比较而言，在工艺简单的前提下，还可以实现更小尺寸的源极和漏极。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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