发明专利已授权

一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管

📄 申请号：CN202110914932.7 📄 发布日：2026/06/04

著录项目信息

申请日

2021-08-10

公开号

CN113611738A

公开日

2021-11-05

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_20

IPC 分类号

H01L29_20 , H01L29_06 , H01L29_739 ,

技术画像

所属领域

绝缘栅双极型晶体管半导体器件功率半导体器件氮化镓器件绝缘栅双极型晶体管

应用场景

电力电子, 功率变换, 新能源汽车, 工业控制, 智能电网

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摘要

本发明涉及一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ、发射极金属接触区Ⅱ和Al组分渐变区。本发明基于N+型GaN衬底材料上，采用从上至下为P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构，通过较低掺杂的P+AlGaN集电极层就可以实现P+AlGaN/GaN较高的空穴注入比，同时，还在P+AlGaN/GaN异质结界面处引入x渐变的AlxGa1‑xN渐变层，以减少器件导通压降，提高器件输出电流。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于特征变换的三维CBCT牙齿图像的分割方法

当前第 / 件

基于微环谐振器和非易失性相变材料的光子卷积神经网络加速器

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