发明专利已授权

一种具有电子积累效应的鳍式EAFin-LDMOS器件

📄 申请号：CN202110362550.8 📄 发布日：2026/06/04

著录项目信息

申请日

2021-04-02

公开号

CN113097310A

公开日

2021-07-09

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_78

IPC 分类号

H01L29_78 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件 LDMOS器件鳍式场效应晶体管

应用场景

功率集成电路, 射频功率放大器, 通信基站, 电源管理, 电力电子

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摘要

本发明涉及一种具有电子积累效应的鳍式EAFin‑LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件分为：衬底、埋氧层和器件上面部分；其中器件上面部分包括：栅氧化层；栅氧化层外侧部分：从左至右依次是源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区和漏极N+区；栅氧化层内侧部分：从左至右依次是栅极P+区、栅极P‑body、控制结构的漂移区、控制结构的漏极N+区和控制结构的漏极P+区。本发明在器件中使用了电子积累效应，并采用了鳍式结构，在保持较高的击穿电压下大幅度降低Ron,sp，最终提高了Baliga优值FOM。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于镜像对称法的反射阵列天线单元

当前第 / 件

一种生物组织切片机

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_78)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_788 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：50 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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