发明专利已授权

一种具有背面双MOS结构的快速关断RC-IGBT器件

📄 申请号：CN202010731321.4 📄 发布日：2026/06/04

著录项目信息

申请日

2020-07-27

公开号

CN111834449B

公开日

2024-04-16

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_40 , H01L29_06 , H01L27_06 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极晶体管（IGBT）半导体器件结构设计

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 工业变频器, 轨道交通牵引, 储能变流器

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摘要

本发明涉及一种具有背面双MOS结构的快速关断RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括栅极接触区1、发射极接触区2、金属场板3、集电极接触区4、发射极5、元胞区P型阱6、过渡区P型阱7、第一场限环8、第二场限环9、第三场限环10、N型集电极11、N型缓冲层12、P型集电极13、N型漂移区14、栅氧化层15、场氧化层16、集电极氧化层17、场截止环接触区18、场截止环19、集电极P‑base20。本发明在保证消除正向导通时的负阻效应的前提下，具有相对较快的关断速度和较低的Von、良好的反向导通性能及600V以上的耐压能力，提高了器件的工作稳定性和电流能力。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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