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| 专利/申请号： | CN202110070630.6 | 专利名称： | 全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法 |
| 申请日： | 2021-01-19 | 申请/专利权人 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/41 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2022-11-25 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN112768514B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 3 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
应用场景：高性能计算芯片；低功耗传感器；先进制程逻辑电路
摘 要：本发明的实施例提供了一种全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。全环绕闸极垂直贯穿式晶体管包括基底、器件单元和闸极，其中，至少两个器件单元依次重叠设置在基底上，器件单元上开设有垂直于基底的过孔，过孔贯穿全部器件单元；闸极设置在过孔内、并与全部器件单元连接。这样，通过在多个重叠设置的器件单元上开设贯穿的过孔，并在过孔内一次性形成闸极，使闸极与全部器件单元连接，相当于全部器件单元共用一个闸极，或者说，闸极的某一段即可对一个器件单元进行控制，整个闸极可以控制多个器件单元，使闸极一次性形成，闸极上各个部位受到的负载相同，各个器件单元之间不会存在明显的电性差异。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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