发明专利已授权

全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法

📄 申请号：CN202110070630.6 📄 发布日：2026/06/29

著录项目信息

申请日

2021-01-19

公开号

CN112768514B

公开日

2022-11-25

申请人

泉芯集成电路制造(济南)有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_41

IPC 分类号

H01L29_41 , H01L29_423 , H01L29_78 , H01L21_336 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件集成电路制造工艺场效应晶体管

应用场景

先进逻辑芯片, 高性能计算芯片, 低功耗集成电路, 存储器芯片, 系统级芯片

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摘要

本发明的实施例提供了一种全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。全环绕闸极垂直贯穿式晶体管包括基底、器件单元和闸极，其中，至少两个器件单元依次重叠设置在基底上，器件单元上开设有垂直于基底的过孔，过孔贯穿全部器件单元；闸极设置在过孔内、并与全部器件单元连接。这样，通过在多个重叠设置的器件单元上开设贯穿的过孔，并在过孔内一次性形成闸极，使闸极与全部器件单元连接，相当于全部器件单元共用一个闸极，或者说，闸极的某一段即可对一个器件单元进行控制，整个闸极可以控制多个器件单元，使闸极一次性形成，闸极上各个部位受到的负载相同，各个器件单元之间不会存在明显的电性差异。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20221125

✅ 授权

20210525

?? 实质审查的生效：

20210507

📄 公开

一种参数化单元及其实现方法

当前第 / 件

全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：30 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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