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摘 要:本发明公开了一种鳍式场效应管输入输出器件及其制作方法,所述鳍式场效应管输入输出器件包括:半导体衬底,具有第一表面,第一表面包括多个器件区;位于器件区表面上的多个鳍形结构;同一器件区表面上的鳍形结构的掺杂浓度相同;位于半导体衬底具有所述鳍形结构一侧表面的浅沟道隔离层,浅沟道隔离层的厚度低于鳍形结构的高度,浅沟道隔离层上方的鳍形结构表面上具有预设厚度的栅极介电层;设置在栅极介电层表面的栅极,栅极与器件区一一对应设置,所述栅极相互绝缘;至少两个所述栅极的金属功函数不同,和/或,至少两个所述器件区表面上的所述鳍形结构的掺杂浓度不同。本技术方案为鳍式场效应管输入输出器件具有多种阈值电压的设计。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011622847.5 | 专利名称: | 鳍式场效应管及其制作方法 |
申请日: | 2020-12-31 | 申请/专利权人 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/78搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2023-05-23 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112802898B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |