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摘 要:本发明公开了一种柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法,其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子,依靠空穴和电离氧离子产生量的变化,以实现器件电阻的变化的原理,从制备工艺简化与阻变膜纳米陶瓷材料的化学配方两方面着手,通过省略掉阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、选用纳米陶瓷烧结温度更低的原料,结合采用更低的煅烧温度;并通过以X2+部分取代Ti4+进行B位取代,增大了阻变膜分子结构的不对称性和内部的空穴量;并采用在生瓷带上镀膜形成“柔性”下电极等系列技术手段,简化了制备工艺、缩短了工艺流程、提高了生产效率,并降低了生产能耗和制造成本,大幅提升了忆阻器的忆阻性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510996704.3 | 专利名称: | 一种柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法 |
申请日: | 2015-12-25 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 塑料 纳米薄膜搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |