咨询电话:13280638997
传真:0533-3110363
邮箱:kefu@shizifang.com
著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201510996704.3 | 专利名称: | 一种柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法 |
申请日: | 2015-12-25 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号: | H01L45/00 分类检索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 【平台担保交易】 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
浏览量: | 91 | 所属领域: | 塑料 纳米薄膜专利转让搜索 |
摘 要:本发明公开了一种柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法,其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子,依靠空穴和电离氧离子产生量的变化,以实现器件电阻的变化的原理,从制备工艺简化与阻变膜纳米陶瓷材料的化学配方两方面着手,通过省略掉阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、选用纳米陶瓷烧结温度更低的原料,结合采用更低的煅烧温度;并通过以X2+部分取代Ti4+进行B位取代,增大了阻变膜分子结构的不对称性和内部的空穴量;并采用在生瓷带上镀膜形成“柔性”下电极等系列技术手段,简化了制备工艺、缩短了工艺流程、提高了生产效率,并降低了生产能耗和制造成本,大幅提升了忆阻器的忆阻性能。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
2016107940924 | 【发明】一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法 | 2025/08/26 |
201511030291X | 【发明】用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料及薄膜制备方法 | 2025/08/26 |
2016107888465 | 【发明】氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法 | 2025/08/26 |
2017107673843 | 【发明】一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及制备方法 | 2025/08/26 |
2017112952697 | 【发明】一种环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜及其制备方法 | 2025/08/26 |
2017107553409 | 【发明】一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 | 2025/08/26 |
2015103173134 | 【发明】用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 | 2025/08/26 |
2015100677007 | 【发明】用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 | 2025/08/26 |
2016106203738 | 【发明】稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法 | 2025/08/26 |
2016108891713 | 【发明】一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 | 2025/08/26 |