发明专利已授权

用于相变存储器的铒掺杂Sn₁₅Sb₈₅基相变薄膜材料及薄膜制备方法

📄 申请号：CN201511030291.X 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2015-12-31

公开号

CN105514271A

公开日

2016-04-20

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

薄膜制备相变存储材料半导体材料薄膜材料薄膜制备

应用场景

相变存储器, 固态硬盘, 数据中心存储, 集成电路, 嵌入式存储

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摘要

本发明公开了一种用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料，它的化学分子式为(Sn15Sb85)xEry；其中0

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20180608

✅ 授权

20160518

?? 实质审查的生效：

20160420

📄 公开

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