专利名称：一种纳米级绝缘薄膜电压-电流特性测量系统      申请号：2019100945901     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米薄膜 薄膜检测 半导体工艺   相似专利 发布日：2024/11/29  
摘要： 本发明揭示了一种纳米级绝缘薄膜电压‑电流特性测量系统，其中导电测试探针由金属探针针套、铜质丝线、微铟球构成，金属探针针套的内部孔径与铜质丝线的直径相匹配，使得铜质丝线恰好穿过金属探针针套而不晃动；铜质丝线的长度大于金属探针针套的长度，使得铜质丝线穿过金属探针针套仍然有一部分露出金属探针针套外；铜质丝线穿过金属探针针套，金属探针针套的尾端使用机械夹具施压后压扁使得铜质丝线固定在金属探针针套中不会滑出；铜质丝线露出金属探针针套的一端，焊有微铟球，在测试时，微铟球与纳米薄膜的电极相接触；导电测试探针的一端以倾斜方式固定在探针夹持器中，露出金属探针针套外的铜质丝线在微铟球的重力作用下能保持形状不下弯。

专利名称：一种柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法      申请号：2015109967043     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 纳米薄膜   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明公开了一种柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化，以实现器件电阻的变化的原理，从制备工艺简化与阻变膜纳米陶瓷材料的化学配方两方面着手，通过省略掉阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、选用纳米陶瓷烧结温度更低的原料，结合采用更低的煅烧温度；并通过以X2+部分取代Ti4+进行B位取代，增大了阻变膜分子结构的不对称性和内部的空穴量；并采用在生瓷带上镀膜形成“柔性”下电极等系列技术手段，简化了制备工艺、缩短了工艺流程、提高了生产效率，并降低了生产能耗和制造成本，大幅提升了忆阻器的忆阻性能。

专利名称：一种仿生法制备LiFePO4纳米薄膜的方法     申请号：2011103758370     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 纳米材料 P L F 纳米薄膜   相似专利 发布日：2022/02/14  

专利名称：有机源混溶式制备铝镓酸铋薄膜的方法      申请号：2015107651582     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米薄膜 薄膜材料 半导体工艺   相似专利 发布日：2024/11/29  
摘要： 一种铝镓有机源混溶式自限制性表面吸附反应制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，可以实现Bi(AlxGa1-x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1-x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于Bi(AlxGa1-x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1-xTix)O3的潜在替换者。