发明专利已授权

一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用

📄 申请号：CN201610889171.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-10-11

公开号

CN106185800B

公开日

2018-11-09

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

相变存储材料相变存储材料纳米薄膜材料半导体材料

应用场景

相变存储器, 数据存储, 光存储, 纳米电子器件

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摘要

本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括碲化锗薄膜材料和单质锗薄膜材料，二者通过磁控溅射法进行纳米量级的交替叠加，形成类超晶格结构。本发明的材料的结构通式为[GeTe(a)/Ge(b)]x，其中：a表示单层GeTe薄膜的厚度(nm)，并且1≤a≤50；b表示单层Ge薄膜的厚度(nm)，并且1≤b≤13；x表示单层GeTe薄膜和单层Ge薄膜的交替周期数，并且x为任一正整数。本发明的材料具有较快的相变速度、较好的热稳定性以及较低的操作功耗，适合于制备高速、高稳定性、低功耗的相变存储器，极具市场前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种Er?Se?Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用

当前第 / 件

稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法

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