发明专利已授权

一种用于相变存储器的Al/Ge₁₀Sb₉₀类超晶格相变薄膜材料及制备方法

📄 申请号：CN201710767384.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-08-31

公开号

CN107768518B

公开日

2019-11-12

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00

技术画像

所属领域

膜材料相变存储材料超晶格薄膜半导体存储器膜材料

应用场景

相变存储器, 存储芯片, 半导体器件, 嵌入式存储, 数据中心存储

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摘要

本发明属于微电子领域相变材料及其制备方法，特别是涉及一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及制备方法。一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料，所述Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料是多层复合膜结构，由Al层和Ge10Sb90层交替沉积复合而成，将Al层和Ge10Sb90层作为一个交替周期，后一个交替周期的Al层沉积在前一个交替周期的Ge10Sb90层上方。本发明采用用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料，是一种新型相变材料，不仅热稳定性好，同时又保留其速度快、功耗低的优点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20191112

✅ 授权

20180330

?? 实质审查的生效：

20180306

📄 公开

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：13 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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