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摘 要:本发明提供了一种稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法,所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜的组分表达式为Erx(GeiSbj)y,x、y都为原子百分比,其中0<x≤0.10,0.90<y≤1,x+y=1.00,i=10,j=90。本发明具有相变速度快、热稳定性好、数据保持力好、低功耗的特点,可以应用于相变存储器和相变显示器等。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610620373.8 | 专利名称: | 稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法 |
申请日: | 2016-07-30 | 申请/专利权人 | 江苏理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市钟楼区中吴大道1801号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 纳米材料搜索 |
公开/公告日: | 2018-09-18 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106206942B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |