发明专利已授权

一种Sb₇₀Se₃₀/SiO₂多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用

📄 申请号：CN201610851411.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-09-26

公开号

CN106374041A

公开日

2017-02-01

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

薄膜材料相变存储材料纳米复合薄膜半导体材料薄膜材料

应用场景

相变存储器, 非易失性存储, 固态存储设备, 半导体器件, 数据存储

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摘要

本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括Sb70Se30薄膜材料和SiO2薄膜材料，结构通式为[(Sb70Se30)(a)/(SiO2)(b)]n，其中：a表示单层Sb70Se30薄膜的厚度(nm)，并且1≤a≤10；b表示单层SiO2薄膜的厚度(nm)，并且1≤b≤5；n表示单层Sb70Se30薄膜和单层SiO2薄膜的交替周期数，并且n为任一正整数。本发明的Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料具有较快的相变速度、较好的热稳定性以及较低的操作功耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190319

✅ 授权

20170301

?? 实质审查的生效：

20170201

📄 公开

一种SiO₂/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用

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