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发明专利
已授权
用于高速低功耗相变存储器的Ga
40
Sb
60
/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
📄 申请号：CN201510317313.4
📄 发布日：2026/07/23
著录项目信息
申请日
2015-06-10
公开号
CN104900807B
公开日
2017-09-29
申请人
江苏理工学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L45_00
IPC 分类号
H01L45_00
,
C23C14_35
,
技术画像
所属领域
相变存储材料
相变存储材料
半导体薄膜材料
超晶格材料
应用场景
非易失性存储, 存储芯片, 数据中心, 消费电子, 人工智能计算
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摘要
本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由Ga40Sb60层和Sb层交替沉积复合而成，将Ga40Sb60层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ga40Sb60层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料利用超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，使材料在提高热稳定性的同时加快相变速度；并且Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料在相变过程中体积改变小，这就保证了相变层与电极材料之间良好的接触，最终提高相变存储器件的稳定性和可靠性。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
含银纳米多孔金属负载含氯钙钛矿量子点膜的制备方法
当前第 / 件
GO增强CNT覆膜砂的智能混凝土、无线传感器及制法
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📋 交易方式：
委托待转让
📌 交易状态：
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