发明专利已授权

一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法

📄 申请号：CN201610794092.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2014-03-28

公开号

CN106252508B

公开日

2018-06-08

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , C23C14_35 , C23C14_06 ,

技术画像

所属领域

相变存储材料相变存储材料薄膜材料半导体材料

应用场景

相变存储器, 半导体存储器件, 微电子器件, 光存储介质

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摘要

本发明公开了一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法，相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为Nx（Zn15Sb85）1‑x，其中0.40≤x≤0.41。制备时通过在射频溅射沉积Zn15Sb85薄膜的过程中同时通入氩气和氮气，得到的相变薄膜材料中掺杂氮元素。本发明的掺氮改性相变薄膜材料与纯的Zn15Sb85薄膜相比，改性后的薄膜具有较快的晶化速度，大大提高相变存储器的存储速度；而且改性后的薄膜的晶化温度和激活能较高，数据保持能力得到加强；掺氮改性相变薄膜材料的晶态电阻和非晶态电阻更高，使得RESET功耗降低，有限降低用其制作的相变存储器的操作功耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

用于相变存储器的铒掺杂Sn₁₅Sb₈₅基相变薄膜材料及薄膜制备方法

当前第 / 件

稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法

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