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摘 要:本发明公开了一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法,相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成,其化学组成通式为Nx(Zn15Sb85)1‑x,其中0.40≤x≤0.41。制备时通过在射频溅射沉积Zn15Sb85薄膜的过程中同时通入氩气和氮气,得到的相变薄膜材料中掺杂氮元素。本发明的掺氮改性相变薄膜材料与纯的Zn15Sb85薄膜相比,改性后的薄膜具有较快的晶化速度,大大提高相变存储器的存储速度;而且改性后的薄膜的晶化温度和激活能较高,数据保持能力得到加强;掺氮改性相变薄膜材料的晶态电阻和非晶态电阻更高,使得RESET功耗降低,有限降低用其制作的相变存储器的操作功耗。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610794092.4 | 专利名称: | 一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法 |
申请日: | 2014-03-28 | 申请/专利权人 | 江苏理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市钟楼区中吴大道1801号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 2018-06-08 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106252508B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |