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一种SiO₂/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用

Name: 一种SiO 2 /Sb类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用
Brand: 江苏理工学院
SKU: 2016108516597
Availability: InStock

📄 申请号：CN201610851659.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-09-26

公开号

CN106185799B

公开日

2018-11-23

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

相变存储材料相变存储材料纳米薄膜材料超晶格结构

应用场景

相变存储器, 光存储, 电子存储器件

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摘要

本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种SiO2/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括二氧化硅薄膜材料和单质锑薄膜材料，二者通过磁控溅射法进行纳米量级的交替叠加。本发明的材料的结构通式为[SiO2(a)/Sb(b)]x，其中：a表示单层SiO2薄膜的厚度(nm)，并且1≤a≤9；b表示单层Sb薄膜的厚度(nm)，并且1≤b≤8；x表示单层SiO2薄膜和单层Sb薄膜的交替周期数，并且x为任一正整数。本发明的SiO2/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料具有较快的相变速度、较好的热稳定性以及较低的操作功耗，适合于制备高速、高稳定性、低功耗相变存储器，极具市场前景。

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……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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