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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201610851659.7 | 专利名称: | 一种SiO2/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 |
申请日: | 2016-09-26 | 申请/专利权人 | 江苏理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市中吴大道1801号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号: | H01L45/00 分类检索 |
公开/公告日: | 2018-11-23 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN106185799B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
浏览量: | 8 | 所属领域: | 塑料专利转让搜索 |
摘 要:本发明涉及纳米材料技术领域,涉及一种SiO2/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括二氧化硅薄膜材料和单质锑薄膜材料,二者通过磁控溅射法进行纳米量级的交替叠加。本发明的材料的结构通式为[SiO2(a)/Sb(b)]x,其中:a表示单层SiO2薄膜的厚度(nm),并且1≤a≤9;b表示单层Sb薄膜的厚度(nm),并且1≤b≤8;x表示单层SiO2薄膜和单层Sb薄膜的交替周期数,并且x为任一正整数。本发明的SiO2/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料具有较快的相变速度、较好的热稳定性以及较低的操作功耗,适合于制备高速、高稳定性、低功耗相变存储器,极具市场前景。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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