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用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法

Name: 用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法
Brand: 江苏理工学院
SKU: 2015100677007
Availability: InStock

📄 申请号：CN201510067700.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2015-02-09

公开号

CN104659209B

公开日

2017-09-29

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , C23C14_35 ,

技术画像

所属领域

相变存储材料相变存储材料纳米薄膜材料半导体材料

应用场景

相变存储器, 半导体存储芯片, 集成电路, 数据存储

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摘要

本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1‑x，其中x=0.50～0.90。与传统的Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的GeSb基掺氮纳米薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；另外GeSb基掺氮纳米薄膜材料具有较高的晶化温度和激活能，从而能够极大的改善PCRAM的稳定性。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20170929

✅ 授权

20150624

?? 实质审查的生效：

20150527

📄 公开

稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法

当前第 / 件

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