发明专利已授权

氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法

📄 申请号：CN201610788846.5 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2014-03-28

公开号

CN106206943B

公开日

2019-01-25

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , C23C14_35 , C23C14_06 , C23C14_02 ,

技术画像

所属领域

相变材料相变材料薄膜材料半导体材料

应用场景

相变存储器, 非易失性存储器, 半导体存储器件, 光存储, 嵌入式存储

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摘要

本发明公开了种氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法,相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成,其化学组成通式为N(ZnSb),其中0.48≤x≤0.49。制备时通过在射频溅射沉积ZnSb薄膜的过程中同时通入氩气和氮气,得到的相变薄膜材料中掺杂氮元素。本发明的掺氮改性相变薄膜材料与纯的ZnSb薄膜相比,改性后的薄膜具有较快的晶化速度,大大提高相变存储器的存储速度;而且改性后的薄膜的晶化温度和激活能较高,数据保持能力得到加强;掺氮改性相变薄膜材料的晶态电阻和非晶态电阻更高,使得RESET功耗降低,有限降低用其制作的相变存储器的操作功耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190125

✅ 授权

20181113

⏳ 著录事项变更：

20170104

?? 实质审查的生效：

20161207

📄 公开

一种用于相变存储器的Al/Ge₁₀Sb₉₀类超晶格相变薄膜材料及制备方法

当前第 / 件

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