发明专利已授权

一种环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜及其制备方法

📄 申请号：CN201711295269.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-12-08

公开号

CN109904310B

公开日

2022-12-23

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00

技术画像

所属领域

相变存储材料相变存储材料纳米复合薄膜薄膜制备工艺

应用场景

相变存储器, 非易失性存储, 数据存储, 半导体存储器件

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摘要

一种环境友好型Sn‑Sb‑Ti纳米复合相变薄膜，其化学组成符合化学通式(SnxSb1‑x)1‑yTiy，其中，0.05

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种用于相变存储器的Mg-Sn-Sb薄膜材料及其制备方法

当前第 / 件

一种用于相变存储器的Al/Ge₁₀Sb₉₀类超晶格相变薄膜材料及制备方法

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