发明专利 已授权

多层相变薄膜及制备方法和应用

📄 申请号:CN201910020336.7 📄 发布日:2026/06/30

著录项目信息

申请日
2019-01-09
公开号
CN109860388A
公开日
2019-06-07
申请人
江苏理工学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

数据存储, 固态存储, 光存储, 相变存储器, 半导体集成电路

摘要

本发明属于薄膜材料技术领域,为了解决目前的薄膜材料相变速度慢和稳定性差的问题,本发明公开了一种多层相变薄膜及制备方法和应用,其中,所述的多层相变薄膜包括交替层叠的单层(C3H3N)n薄膜层和单层Sn27Sb73薄膜层,所述的单层(C3H3N)n薄膜层的厚度为10-200nm,所述的单层Sn27Sb73薄膜层的厚度为10-200nm,所述的多层相变薄膜总厚度为150-250nm。本发明的多层相变薄膜具有相变速度快,稳定性高的优点。

常见问题

这项专利是否已经下证?

是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN109860388A

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20221223
✅ 授权
20190702
?? 实质审查的生效 :
20190607
📄 公开

同领域国内专利 · IPC: (H01L45_00)

H01L45_00 覆盖1个领域
议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:40 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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