发明专利已授权

深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法

📄 申请号：CN201811527141.3 📄 发布日：2025/10/23

著录项目信息

申请日

2018-12-13

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_32

IPC 分类号

H01L33_32 , H01L33_12 , H01L33_14 , H01L33_00 ,

技术画像

所属领域

半导体光电子器件半导体光电子器件深紫外LED外延生长光电器件制造工艺

应用场景

杀菌消毒, 水处理, 光固化, 医疗健康, 空气净化

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摘要

本发明公开了一种深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法，其中，制备方法包括：在衬底上生长AlGaN缓冲层，并在AlGaN缓冲层上生长N型AlGaN层；在N型AlGaN层上生长Al组分渐变的N型AlGaN层，并在Al组分渐变的N型AlGaN层上生长Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区；在Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区上生长AlGaN阻挡层，并在AlGaN阻挡层上生长P型GaN层。本申请公开的上述技术方案，由于生长Al组分渐变的N型AlGaN层在生长有源区之前，因此，则不会引起有源区能带结构发生变化，从而可以提高深紫外LED芯片的发光效率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

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图1

图2

图3

法律状态时间线

种锂离子电池用二氧化锡/氧化锆掺杂碳复合材料及其制备方法和应用

当前第 / 件

一种锂离子电池用二氧化锡/铌掺杂碳复合材料及其制备方法和应用

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