发明专利已授权

一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件

Name: 一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件
Brand: 重庆邮电大学
SKU: 2019102139844
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910213984.4 📄 发布日：2026/06/04

著录项目信息

申请日

2019-03-20

公开号

CN109920840B

公开日

2022-02-11

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_739 , H01L27_06 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极晶体管半导体器件结构

应用场景

电力电子, 功率变换, 新能源汽车, 工业控制, 智能电网

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摘要

本发明涉及一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC‑LIGBT器件，以L型SiO2隔离层为界，分为LDMOS区和LIGBT区，工作过程中具有以下优点：(1)降低了器件电场尖峰，避免了在器件表面提前击穿，从而提高了击穿电压；(2)在正向导通时三种模式的转换过程中器件处于平稳过度状态，无电流突变情况；(3)在反向导通时，LDMOS区独立工作，N‑Collector提供电子，发射极反向偏压下P‑body直接注入空穴到漂移区，赋予器件逆向双极模式的导通能力。经过相同参数条件下经仿真验证，本发明复合型RC‑LIGBT器件的击穿电压提高到206.05V；无Snapback现象、同时还具有反向导通能力。

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这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN109920840B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220211

✅ 授权

20190716

?? 实质审查的生效：

20190621

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：41 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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