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一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件

来源：https://www.shizifang.com 发布日：2023/07/10

著录项目：

专利/申请号：	CN201910213984.4 复制	专利名称：	一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件复制
申请日：	2019-03-20	申请/专利权人	重庆邮电大学
专利类型：	发明	地址：	重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号
专利状态：	已下证查询审查信息	分类号：	H01L29/06分类检索隔离 C R L 器件专利转让搜索
公开/公告日：	2022-02-11	转让价格：	面议【平台担保交易】
公开/公告号：	CN109920840B	交易状态：	等待洽谈搜索相似专利

摘要：本发明涉及一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC‑LIGBT器件，以L型SiO2隔离层为界，分为LDMOS区和LIGBT区，工作过程中具有以下优点：(1)降低了器件电场尖峰，避免了在器件表面提前击穿，从而提高了击穿电压；(2)在正向导通时三种模式的转换过程中器件处于平稳过度状态，无电流突变情况；(3)在反向导通时，LDMOS区独立工作，N‑Collector提供电子，发射极反向偏压下P‑body直接注入空穴到漂移区，赋予器件逆向双极模式的导通能力。经过相同参数条件下经仿真验证，本发明复合型RC‑LIGBT器件的击穿电压提高到206.05V；无Snapback现象、同时还具有反向导通能力。

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专利交易流程

1．买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
2．卖家确认专利可交易；
3．买家支付交易款项到平台；
4．买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
5．办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
6．买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
7．平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。

专利转让材料

交易方	企业	个人
买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

专利法律信息

日期	法律信息	备注
2022/02/11	授权
2019/07/16	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 29/06 专利申请号: 201910213984.4 申请日: 2019.03.20
2019/06/21	公开

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