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| 专利/申请号： | CN202010652169.0 | 专利名称： | 具有抗突波能力的碳化硅两级管器件及其制造方法 |
| 申请日： | 2020-07-08 | 申请/专利权人 | 苏州凤凰芯电子科技有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技创业园E幢2楼 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/06 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2020-09-15 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN111668291A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 23 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本发明涉及一种具有抗突波能力的碳化硅两级管器件及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、阶梯型沟槽、第二导电类型体区、肖特基金属层与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表层开设有多个阶梯型沟槽，且在从下往上的方向上，阶梯型沟槽的槽宽呈逐级增大设置；第一导电类型碳化硅外延体区的上表面以及阶梯型沟槽的内部设有肖特基金属层；第二导电类型体区呈阶梯型且包围每一级沟槽的底面以及第二级至最后一级沟槽的侧壁。本发明提高了抗顺向突波电流能力；本发明具有更低的器件顺向导通电压、更高的器件耐压、更低的漏电电流、更好的抗突波电流能力和更低的制作成本。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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