咨询电话：13280638997
传真：0533-3110363
邮箱：kefu@shizifang.com
24小时咨询热线13280638997
24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN202121636102.4 | 专利名称： | 一种新型防水三极管 |
| 申请日： | 2021-07-19 | 申请/专利权人 | 深圳市远阳宏电子有限公司 |
| 专利类型： | 实用新型 | 地址： | 广东省深圳市光明区玉塘街道田寮社区田荣路美通达电子厂1号401 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L29/72 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2021-11-19 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN214797423U | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 43 | 所属领域： | 电子设备和元器件专利转让搜索 |
摘 要：本实用新型公开了一种新型防水三极管，该封装壳和改进型封装底座之间设置有嵌入结构，嵌入结构包括第一嵌入架、第二嵌入架和空腔，第一嵌入架的内壁设置有第二嵌入架，第一嵌入架和第二嵌入架之间形成空腔，第一嵌入架和第二嵌入架嵌入进嵌入槽槽内，嵌入槽和凹槽注入密封胶。本实用新型的一种新型防水三极管，属于三极管领域，由于嵌入槽槽内注入密封胶，密封胶在嵌入架嵌入过程中溢出，密封胶溢出在座体和封装壳接触端，从而实现改进型封装底座和封装壳之间的密封，进而实现三极管的防水，由于凹槽和封条处注入密封胶，密封胶从封条和凹槽缝隙处溢出，实现连接壳和封装壳之间的密封，进一步提升三极管的防水性能。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
| 2018114077740 | 【发明】一种高速开关二极管芯片及生产工艺 | 2025/06/13 |
| 2022218723128 | 【实用新型】一种轴向肖特基二极管芯片自动焊接装置 | 2025/06/12 |
| 202011470924X | 【发明】一种同时优化击穿特性和反向特性的GaNHEMT器件及其制作工艺 | 2025/05/21 |
| 2019800003918 | 【】1T1R阻变式存储器及其制作方法、晶体管和设备 | 2025/05/21 |
| 2021101791185 | 【发明】一种基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 | 2025/04/21 |
| 2016110512594 | 【发明】一种改进的结型场效应管 | 2025/08/21 |
| 2021110318519 | 【发明】一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料的制备装置 | 2025/07/18 |
| 2022225058340 | 【实用新型】一种耦合板HEMT器件 | 2025/06/26 |
| 2022225058209 | 【实用新型】一种肖特基势垒二极管 | 2025/02/25 |
| 2022216898058 | 【实用新型】一种氮化镓高电子迁移率晶体管 | 2025/06/26 |
