专利名称：一种具有射流器件的受电弓装置      申请号：2021102114488     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 器件   相似专利 发布日：2024/01/23  
摘要： 本发明公开了一种具有射流器件的受电弓装置,包括三角支架、气体射流发生器、垂直转动步进电机、前翼式滑板弓角、后梯形滑板弓角、上框架、弓头支架、平衡杆、尾翼式铰链座。本发明通过利用两对逆向、顺向气体射流发生器分别对前翼式滑板弓角、后梯形滑板弓角周围气体进行引流，再配合改进后的前机翼式滑板弓角和后梯形滑板弓角来减小气体与两滑板的碰撞，并通过引流空气气体增加前滑板的气体抬升力和减小后滑板弓角处的气体涡流和空气阻力，最后在结合尾翼式铰链座，有效的减缓气体与受电弓的碰撞，实现了受电弓的降噪和降低了弓网的离线率，保障了高速铁路的安全稳定运行。

专利名称：用于太赫兹波探测的器件用衬底及其制备方法      申请号：2018108359580     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 底 器件   相似专利 发布日：2023/10/23  
摘要： 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种用于太赫兹波探测的器件用衬底及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。

专利名称：具有WSA位敏结构的自供电半导体光电催化器件      申请号：201811446640X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电力 器件   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 具有WSA位敏结构的自供电半导体光电催化器件属于光电催化技术领域。现有半导体光电催化器件不能在日照时间的推移过程中，保持其催化净化效果始终处在最佳状态。本发明其特征在于，在P‑N+硅片的N+区表面交叉分布一组楔形阳极W和一组条形阳极S，楔形阳极W与条形阳极S之间的部分为第三阳极A，楔形阳极W、条形阳极S、第三阳极A由楔形阳极沟道、条形阳极沟道分隔；楔形阳极沟道、条形阳极沟道的沟道宽度a为100～120μm，沟道底部位于P‑区，沟道位于P‑区部分的深度b为50～120μm，在沟道底部分布半导体纳米线光电催化层，半导体纳米线光电催化层的厚度为1～2μm；P‑区至N+区掺杂浓度由稀变浓。本发明能够利用WSA位敏结构使得半导体光电催化器件跟踪日光，确保光能接收量。

专利名称：用于红外热成像探测器件的液晶盒     申请号：2011103041955     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 红外热成像 成像探测 器件   相似专利 发布日：2023/10/17  

专利名称：集成电路器件刻除装置      申请号：2022233967218     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：集成电路 器件   相似专利 发布日：2023/09/19  
摘要： 本实用新型公开了集成电路器件刻除装置，涉及集成电路器件刻除技术领域。包括支撑座，所述支撑座的顶部固定安装有加工箱，所述加工箱的一侧安装有电控防护门，所述加工箱的表面安装有第一控制面板，且第一控制面板与电控防护门配对使用，所述加工箱的表面安装有第二控制面板，所述加工箱的内部开设有加工槽，所述支撑座的内部安装有限位机构，且限位机构贯穿至加工箱的内部；本实用新型能够提高集成电路器件刻除加工的稳定性，有利于对刻除加工过程中的集成电路器件进行夹持固定，从而能够保持集成电路器件在刻除加工过程中的稳固性，降低集成电路器件在刻除加工过程中出现移动的概率，提高集成电路器件刻除加工的质量。

专利名称：一种具有多场板结构的氮化镓功率器件及其制备方法      申请号：2020101237522     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 器件   相似专利 发布日：2023/09/04  
摘要： 本发明公开了一种具有多场板结构的氮化镓功率器件，由下而上依次设置有：衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属，位于AlGaN势垒层表面的钝化层呈间隔排列的条状，栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本发明使电场分布更加均匀，器件耐压能力增强，有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性，有效降低器件在大电流作用下的漏电。本发明制备方法与传统工艺完全兼容，制备难度低。

专利名称：一种深紫外探测器件及其制备方法      申请号：2021102496497     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 器件   相似专利 发布日：2023/09/04  
摘要： 本发明公开了一种深紫外探测器件，包括由下至上依次叠置的衬底、AlN成核层、n型β相Ga2O3层、β相Ga2O3/AlxInyGa1‑x‑yO活性层、p型β相Ga2O3层、p型金刚石薄膜层、碳纳米管薄膜透明导电层和氟化物保护层，在所述n型β相Ga2O3层上引出n型欧姆电极，在所述碳纳米管薄膜透明导电层上引出p型欧姆电极。本发明还公开了这种深紫外探测器件的制备方法。本发明深紫外探测器件有助于提高探测器对微弱深紫外信号的响应度，降低光子传输的能量损耗，提高器件可靠性。

专利名称：一种磁性元器件辅助折弯装置      申请号：2023207847899     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：辅助 器件   相似专利 发布日：2023/07/21  
摘要： 本实用新型公开了一种磁性元器件辅助折弯装置，涉及电感线圈折弯技术领域，包括折弯机本体，所述折弯机本体的内部设置有支撑柱，且支撑柱的顶端套接有待折弯线圈，所述支撑柱的底端对称连接有对接块，且对接块的内侧设置有固定块，所述固定块的内部固定安装有双轴电机，且双轴电机的端头对称连接有转动轴。本实用新型通过设置有对接块和调直机构，即可对待折弯线圈的引脚施加向下的力，防止引脚出现歪斜的现象，无需工作人员手动调直引脚，设置有竖板和限位板，在使用过程中，通过限位板的设置，即可实现对待折弯线圈的限位工作，从而防止待折弯线圈始终套接在支撑柱的外侧，以保证调直工作的顺利进行。

专利名称：一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件      申请号：2019102139844     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：隔离 C R L 器件   相似专利 发布日：2023/07/10  
摘要： 本发明涉及一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC‑LIGBT器件，以L型SiO2隔离层为界，分为LDMOS区和LIGBT区，工作过程中具有以下优点：(1)降低了器件电场尖峰，避免了在器件表面提前击穿，从而提高了击穿电压；(2)在正向导通时三种模式的转换过程中器件处于平稳过度状态，无电流突变情况；(3)在反向导通时，LDMOS区独立工作，N‑Collector提供电子，发射极反向偏压下P‑body直接注入空穴到漂移区，赋予器件逆向双极模式的导通能力。经过相同参数条件下经仿真验证，本发明复合型RC‑LIGBT器件的击穿电压提高到206.05V；无Snapback现象、同时还具有反向导通能力。

专利名称：一种具有无线通信功能的小型半导体器件      申请号：2021216365383     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体 通信 器件   相似专利 发布日：2023/05/23  
摘要： 本实用新型提供一种具有无线通信功能的小型半导体器件，包括装置本体；所述装置本体底部设置有左右方向的下封闭壳体，下封闭壳体顶部设置有矩形放置腔，下封闭壳体前后壁顶部端面均开设有七处前后贯穿左右排出的限位槽。下封闭壳体的设置，方便承载固定板放入安装在顶部内部对集成电路板进行承载，方便集成电路板产生的热量通过承载固定板传递给下封闭壳体进行散热，解决了不能通过基板将热量传递给防护壳进行散热的问题。

专利名称：Delta沟道掺杂SiC垂直功率MOS器件制作方法      申请号：2015106597379     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：C IC L 器件   相似专利 发布日：2022/07/01  
摘要： 一种Delta沟道掺杂SiC垂直功率MOS器件制作方法，其步骤依次为对N‑/N+型SiC外延片表面清洗；在CVD炉中进行分层掺杂；刻出P‑base区并高温Al离子注入；刻出N+掺杂源区并高温N离子注入；刻出P+接触区域并进行高温Al离子注入；在N‑/N+型SiC外延片表面形成碳保护膜；高温离子注入退火；表面碳膜去除；酸清洗；SiO2绝缘层生长；底部漏电极生长；涂剥离胶、光刻胶、刻出源接触孔，进行源金属淀积，并剥离形成源图形；源漏电极退火；栅电极的形成；栅、源互连电极形成。本发明可以有效提高垂直功率MOS器件的沟道有效迁移率，减小器件的阈值电压，改善垂直功率器件的导通特性。

专利名称：一种电子器件包装带     申请号：2021225238565     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：电子 报警器 包装 器件   相似专利 发布日：2022/05/23  

专利名称：一种功放器件的散热结构     申请号：2020225527772     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词： 器件   相似专利 发布日：2021/12/28  

专利名称：一种通信器件的运输装置     申请号：2020209046459     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：通信 器件   相似专利 发布日：2021/02/03  

专利名称：一种通信器件散热防尘装置     申请号：2020200529105     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：通信 器件   相似专利 发布日：2021/02/03  

专利名称：一种耦合器件固定装置     申请号：2020209337632     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 器件   相似专利 发布日：2021/01/07  

专利名称：一种基于三维石墨烯薄膜的增强红外吸收器件      申请号：2019210399069     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：石墨烯 塑料 三维 器件   相似专利 发布日：2020/06/18  
摘要： 本实用新型涉及一种基于三维石墨烯薄膜的增强红外吸收器件，该器件包括衬底、侧壁、顶壁、石墨烯薄膜、微结构层，微结构层由周期排布的微结构构成，衬底、侧壁和顶壁构成微流通道，石墨烯薄膜和微结构层置微流通道内，石墨烯薄膜置于微结构上，石墨烯薄膜为波浪形。应用时，微流通道中流过待测液体，通过测试液体中所含物质的红外吸收光谱，获得所含物质的化学成分和结构等信息。由于在激发光作用下，波浪形石墨烯薄膜上不同高度的位置具有相位差，该位相差增强了石墨烯薄膜上表面等离激元共振，更有利于增强液体所含物质的红外吸收，本实用新型具有灵敏度高等优点。

专利名称：一种光敏器件暗电流自动测定仪      申请号：2018218053774     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 器件   相似专利 发布日：2020/04/10  
摘要： 本实用新型涉及光敏器件检测技术领域，具体地，涉及一种光敏器件暗电流自动测定仪，还包括输送装置、上料工位、第一检测工位和第二检测工位，上料工位、第一检测工位和第二检测工位依次沿着输送装置的输送方向间隔设置，所述第一检测工位设置有通电检测装置，第二检测工位设置有电流检测装置和暗箱，所述电流检测装置设置在暗箱的一侧，工作台的顶端还设置有环形滑轨，环形滑轨绕着输送装置安装在工作台的顶端，环形滑轨上还设置有若干个移动滑块，每个移动滑块的顶端均设置有一个用于固定光敏器件的工件治具，工件治具的一侧设置有连接块，每个连接块与输送装置传动连接，使得光敏器件可以得到快速的检测，并且标记后以便于工作人员识别。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利