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| 专利/申请号： | CN202011417175.4 | 专利名称： | 一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI-LDMOS器件 |
| 申请日： | 2020-12-04 | 申请/专利权人 | 重庆邮电大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/78 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2023-03-14 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN112420846B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 25 | 所属领域： | 其他专利转让搜索 |
摘 要：本发明涉及一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI‑LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。该器件在传统表面栅薄层SOI‑LDMOS器件上，在埋氧层处额外引入体内栅极并在漂移区引入P型埋层，优点：(1)在正向导通时，该器件的表面与体内同时形成两个导电沟道，使电子的注入能力有很大的提升，从而降低器件的比导通电阻。引入的P型埋层提高了漂移区N型层的浓度进而优化器件的正向导通性能，最终降低器件的比导通电阻。(2)在击穿时，P型埋层优化漂移区的电场强度分布，P型埋层与N型层相互耗尽从而使漂移区发生电荷补偿效应。(3)在埋氧层引入体内栅极，提高了器件的跨导gm，从而使栅极电压对电流的控制能力增强。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2023/03/14 | 授权 | |
| 2021/03/16 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/78 专利申请号: 202011417175.4 申请日: 2020.12.04 |
| 2021/02/26 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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