专利名称：具有双沟槽的4H-SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件      申请号：202210553866X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件设计 功率电子器件 碳化硅 材料应用   相似专利 发布日：2025/09/23  

应用场景：新能源汽车驱动系统;光伏逆变器;工业变频电源;高压直流输电系统

专利名称：一种具有电子积累效应的鳍式EAFin-LDMOS器件      申请号：2021103625508     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件设计 功率半导体技术   相似专利 发布日：2025/09/23  

应用场景：高压功率集成电路;智能电网设备;工业电机驱动

专利名称：一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件      申请号：2020114078613     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件设计 功率半导体技术 绝缘体上硅 技术   相似专利 发布日：2025/09/23  

应用场景：智能电网输电设备;工业电机驱动控制;新能源汽车电源系统;高频电力开关应用

专利名称：一种基于逆向设计的片上模式转换器的设计方法      申请号：2022107559798     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件设计 光通信 集成电路优化   相似专利 发布日：2025/09/23  

应用场景：片上光学模式转换；光信号处理；高速通信芯片集成