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摘 要:本发明涉及一种纳米线阵列及其制备方法,具体是指一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在Si衬底上沉积一层金薄膜,然后将得到的金薄膜进行球化退火从而得到金颗粒,最后在金颗粒上生长Ga2O3纳米线阵列。本发明的优点是:所制备的Ga2O3纳米线阵列分布均匀,纳米线的长径比可控;另外,该制备方法具有工艺可控性强,操作简单,普适性好等特点,有望在半导体纳米线阵列器件中得到应用。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610143013.3 | 专利名称: | 一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法 |
申请日: | 2016-03-13 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/24搜分类 米线搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
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日期 | 法律信息 | 备注 |