发明专利已授权

一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法

📄 申请号：CN201610143013.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-03-13

申请人

浙江理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_24

IPC 分类号

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料纳米材料纳米线阵列

应用场景

功率半导体器件, 紫外探测器, 光电探测器, 气体传感器

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摘要

本发明涉及一种纳米线阵列及其制备方法，具体是指一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在Si衬底上沉积一层金薄膜，然后将得到的金薄膜进行球化退火从而得到金颗粒，最后在金颗粒上生长Ga2O3纳米线阵列。本发明的优点是：所制备的Ga2O3纳米线阵列分布均匀，纳米线的长径比可控；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好等特点，有望在半导体纳米线阵列器件中得到应用。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种具有三级结构的聚四氟乙烯微纳米纤维膜的制备方法

当前第 / 件

一种Cu₂O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器及其制备方法

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