发明专利已授权

一种Cu₂O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器及其制备方法

📄 申请号：CN201710961287.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-10-16

申请人

浙江理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L51_46

IPC 分类号

技术画像

所属领域

光电探测器光电探测器半导体器件纳米材料

应用场景

光通信, 光电检测, 传感探测, 紫外探测, 军事监测

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摘要

本发明属于光电探测器领域，具体涉及一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器及其制备方法，包括Ag电极、Cu2O纳米晶、GaOOH纳米柱阵列、Ga2O3籽晶层和FTO导电玻璃，所述Ga2O3籽晶层位于FTO导电玻璃上，所述Cu2O/GaOOH纳米柱阵列位于Ga2O3籽晶层上，Cu2O/GaOOH纳米柱由GaOOH纳米柱和Cu2O纳米晶构成，所述GaOOH纳米柱阵列位于Ga2O3籽晶层上，所述Cu2O纳米晶包裹于GaOOH纳米柱外周围。本发明制备的Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结具有大的比表面积，对光吸收强，能实现宽光谱探测，为构建高性能的光电探测器提供一种行之有效的方法，且该制备方法操作简单、成本便宜、重复性好，在未来的光电领域一定有巨大的应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法

当前第 / 件

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同领域国内专利 · IPC: (H01L51_46)

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