发明专利已授权

一种基于TSV和RDL的三维电容器

Name: 一种基于TSV和RDL的三维电容器
Brand: 西安理工大学
SKU: 2018106505239
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810650523.9 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-06-22

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L23_522

IPC 分类号

技术画像

所属领域

三维集成封装三维集成封装半导体器件电容器

应用场景

集成电路, 芯片封装, 三维异构集成, 电子器件

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摘要

本发明公开了一种基于TSV和RDL的三维电容器，包括硅衬底，硅衬底的一个端面设置有RDL顶面金属层、与RDL顶面金属层相对的另一个端面设置有RDL底面金属层，RDL顶面金属层和RDL底面金属层形状、大小相同，RDL顶面金属层上方还设置有RDL金属层，RDL顶面金属层和RDL底面金属层之间沿纵向连接有若干个圆柱形TSV，各个圆柱形TSV分布在硅衬底内。本发明的一种基于TSV和RDL的三维电容器，在于TSV的阵列电容外加两层RDL构成的MIM电容构成的三维集成电容器，大幅提高了集成电容器的质量和电容密度，可广泛用于模拟集成电路、模/数混合集成电路和射频/微波电路。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号：

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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