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摘 要:本发明公开了一种基于TSV和RDL的三维电容器,包括硅衬底,硅衬底的一个端面设置有RDL顶面金属层、与RDL顶面金属层相对的另一个端面设置有RDL底面金属层,RDL顶面金属层和RDL底面金属层形状、大小相同,RDL顶面金属层上方还设置有RDL金属层,RDL顶面金属层和RDL底面金属层之间沿纵向连接有若干个圆柱形TSV,各个圆柱形TSV分布在硅衬底内。本发明的一种基于TSV和RDL的三维电容器,在于TSV的阵列电容外加两层RDL构成的MIM电容构成的三维集成电容器,大幅提高了集成电容器的质量和电容密度,可广泛用于模拟集成电路、模/数混合集成电路和射频/微波电路。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810650523.9 | 专利名称: | 一种基于TSV和RDL的三维电容器 |
申请日: | 2018-06-22 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L23/522搜分类 电子元器件 集成电路 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |