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24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201810650523.9 | 专利名称： | 一种基于TSV和RDL的三维电容器 |
| 申请日： | 2018-06-22 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L23/522 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 26 | 所属领域： | 电子设备和元器件专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种基于TSV和RDL的三维电容器，包括硅衬底，硅衬底的一个端面设置有RDL顶面金属层、与RDL顶面金属层相对的另一个端面设置有RDL底面金属层，RDL顶面金属层和RDL底面金属层形状、大小相同，RDL顶面金属层上方还设置有RDL金属层，RDL顶面金属层和RDL底面金属层之间沿纵向连接有若干个圆柱形TSV，各个圆柱形TSV分布在硅衬底内。本发明的一种基于TSV和RDL的三维电容器，在于TSV的阵列电容外加两层RDL构成的MIM电容构成的三维集成电容器，大幅提高了集成电容器的质量和电容密度，可广泛用于模拟集成电路、模/数混合集成电路和射频/微波电路。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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