发明专利已授权

导模法生长氧化镓晶体界面变形程度确定方法和优化方法

📄 申请号：CN202411451633.4 📄 发布日：2026/07/24

著录项目信息

申请日

2024-10-17

公开号

CN119337449B

公开日

2025-06-17

申请人

西安交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F30_10

IPC 分类号

G06F30_10 , C30B15_34 , C30B29_16 , C30B15_22 , C30B28_10 , G06T17_20 , G06F111_10 , G06F119_08 ,

技术画像

所属领域

晶体生长晶体生长半导体材料氧化镓晶体

应用场景

功率半导体器件, 电力电子, 射频器件, 光电器件, 半导体衬底

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摘要

本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体界面变形程度确定方法和优化方法，本发明实施例通过从目标计算域中确定目标结晶界面，并对目标计算域进行稳态计算，得到目标结晶界面所在的温度场；根据温度场，确定目标结晶界面对应的目标函数；计算目标函数在三维直角坐标系的坐标轴方向上的方向导数；根据目标网格面在三维直角坐标系下的三维坐标和方向导数，确定目标网格面的温度变化因子；根据各个目标网格面的温度变化因子，确定目标结晶界面的变形程度。本发明实施例将各个目标网格面的温度变化因子作为判定依据来确定目标结晶界面的变形程度，不依赖观察人员的主观判断，提高了确定结晶界面变形程度的准确度和自动化程度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：31 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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