本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体的网格确定方法、设备和存储介质,涉及晶体生长技术领域。所述方法包括:根据晶体生长炉、氧化镓熔体和氧化镓晶体,建立几何模型;将几何模型中的模具区域、液桥区域和晶体区域确定为第一区域,并对第一区域进行六面体网格划分,得到第一六面体网格;从几何模型的气体区域中确定第二区域,并对第二区域进行六面体网格划分,得到第二六面体网格;在构成结晶界面的目标网格面中的第一网格节点发生移动的情况下,对第二网格面中的第二网格节点进行移动。本发明实施例可以提高通过数值模拟的方式确定出的结晶界面的准确性。
📄 2025104800165
📂 C30B15_34
👤 西安交通大学
📅 2025-04-17
本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模具和生长炉,涉及晶体生长技术领域;所述方法包括:基于包括待设计模具的晶体生长炉和氧化镓晶体确定结晶界面;在待设计模具的顶部边沿与结晶界面边沿之间的最大距离小于目标距离且结晶界面不满足目标条件的情况下,对待设计模具进行一次凹槽处理;在最大距离等于目标距离且结晶界面不满足目标条件的情况下,对待设计模具进行二次凹槽处理,直至结晶界面满足目标条件;在最大距离小于或者等于目标距离并且结晶界面满足目标条件的情况下,将待设计模具确定为目标模具。本发明实施例提高了氧化镓晶体的晶体生长过程的稳定性和晶体生长质量。
📄 2025102932846
📂 C30B15_34
👤 西安交通大学
📅 2025-03-13