本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体的网格确定方法、设备和存储介质，涉及晶体生长技术领域。所述方法包括：根据晶体生长炉、氧化镓熔体和氧化镓晶体，建立几何模型；将几何模型中的模具区域、液桥区域和晶体区域确定为第一区域，并对第一区域进行六面体网格划分，得到第一六面体网格；从几何模型的气体区域中确定第二区域，并对第二区域进行六面体网格划分，得到第二六面体网格；在构成结晶界面的目标网格面中的第一网格节点发生移动的情况下，对第二网格面中的第二网格节点进行移动。本发明实施例可以提高通过数值模拟的方式确定出的结晶界面的准确性。
📄 2025104800165
📂 C30B15_34
👤 西安交通大学
📅 2025-04-17
本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体界面变形程度确定方法和优化方法，本发明实施例通过从目标计算域中确定目标结晶界面，并对目标计算域进行稳态计算，得到目标结晶界面所在的温度场；根据温度场，确定目标结晶界面对应的目标函数；计算目标函数在三维直角坐标系的坐标轴方向上的方向导数；根据目标网格面在三维直角坐标系下的三维坐标和方向导数，确定目标网格面的温度变化因子；根据各个目标网格面的温度变化因子，确定目标结晶界面的变形程度。本发明实施例将各个目标网格面的温度变化因子作为判定依据来确定目标结晶界面的变形程度，不依赖观察人员的主观判断，提高了确定结晶界面变形程度的准确度和自动化程度。
📄 2024114516334
📂 G06F30_10
👤 西安交通大学
📅 2024-10-17
本发明提供了一种导模法生长晶体的结晶界面确定方法和装置，涉及晶体生长技术领域。所述方法包括：在目标计算域的温度不平衡的情况下，对目标计算域进行稳态计算，得到温度场；在三维非轴对称结晶界面的温度不满足预设条件的情况下，获取计算参数并根据计算参数，计算目标网格节点的移动参数；按照移动参数，控制目标网格节点进行移动，得到调整后的三维非轴对称结晶界面；在目标计算域的温度平衡、三维非轴对称结晶界面的温度满足预设条件时，将三维非轴对称结晶界面确定为目标结晶界面。本发明实施例实现了目标结晶界面的确定，提高了基于目标结晶界面对目标晶体的生长过程进行控制的准确性。
📄 2024110740557
📂 C30B15_22
👤 西安交通大学
📅 2024-08-07
本发明提供一种低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法，采用连续生长的方法，连续多周期分阶段在低温溶液中快速生长ABX3钙钛矿单晶，所用溶液浓度大，生长所需原料溶解均匀，增加生长周期和对生长条件的精细控制，很容易得到尺寸大、形状规则、质量高的ABX3钙钛矿单晶，方法工艺简单、可操作性强；生长条件温和，所需温度低，节能；设备要求低、成本低；成功率高、生长单晶速度快；缺陷少、稳定性好，所得单晶尺寸大(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)等优点。从而促进对钙钛矿材料及相关光电器件(包括太阳电池、光探测器、LED及激光器等)的基础机理理论研究。
📄 2015102541285
📂 C30B29_12
👤 陕西师范大学
📅 2015-05-18
本发明一种液‑液两相法生长钙钛矿单晶的方法，操作简单、对周围环境要求低、无毒不污染环境，所得单晶结晶度好、稳定性高。所述的方法为，取提供锡源的溶液，滴加在与其不互溶且含有卤代物的溶液中，在形成的分离界面处反应，生长出钙钛矿单晶。本发明采用液‑液两相法反应的方式，滴加互不相溶的两种液相形成分层，两相直接在界面分层处快速反应生长出MASnI3钙钛矿单晶，加上其所限定的温度调节，即可生长出环境友好型、形状规则、结晶度高、稳定性好、含铅的单晶。具有操作简单、反应迅速，对条件要求低、成本低、成功率高、无毒无污染的特点；为钙钛矿材料的发展提供一种新思路、新方法。
📄 2016109086810
📂 C30B29_12
👤 陕西师范大学
📅 2016-10-18
本发明公开了一种原位快速合成稀土掺杂氧化物单晶的方法，该方法利用贵金属纳米结构等离激元的热效应，以吸收截面大的小尺寸贵金属纳米颗粒为热源，通过共振波长的外加光场的作用，使贵金属纳米颗粒在极短的时间内产生极高的热量，并传导至稀土掺杂发光材料，使其局域温度瞬间升高；同时表面等离激元弛豫产生的热电子催化其表面吸附的氧分子，使氧分子活化，从而促进发光材料发生氧化反应，在瞬间高温和活化氧的双重作用下，发光材料瞬间相变为稀土掺杂氧化物单晶。本发明通过调整贵金属颗粒等离激元共振峰的位置，可实现激发光波长的线性可调。该方法简单易行，室温条件便可进行，反应时间短，所需激发光功率密度小，且具有波长依赖特性。
📄 2018105435027
📂 C30B29_16
👤 陕西师范大学
📅 2018-05-31
本发明公开了一种钙钛矿单晶薄片及促进其生长的方法和应用，该方法利用聚四氟乙烯作为钙钛矿单晶薄片的结晶器皿，相对于现有的玻璃器皿，聚四氟乙烯对于钙钛矿前驱体溶液而言为疏水性器皿。对于钙钛矿薄膜的结晶过程，表面张力控制逆温度结晶来生长钙钛矿单晶薄膜，由于物质的化学势与其压强成正相关的关系，高的压强将导致较高的化学势能，因此疏水性容器中，溶液表面的化学势低于溶液内部的化学势。钙钛矿前驱液的表面张力越大，对于钙钛矿晶体而言，晶粒成长过程中，则晶粒生长越快，给予向上的力越大，晶片更容易向上生长，而且晶片的横向生长效果也越好。
📄 2020110527473
📂 C30B7_10
👤 陕西师范大学
📅 2020-09-29
本申请公开一种（001）晶面择优生长的碘化铅、其制备方法及应用。所述碘化铅的制备方法，包括以下步骤：将含碘化合物和含铅化合物分别溶于水，对应得到含碘溶液和含铅溶液；将含铅溶液缓慢滴加到含碘溶液中，向混合溶液中加入适量模板剂，待充分反应后，离心分离得碘化铅。本申请实施例的技术方案中，通过模板剂的添加种类及剂量的控制，改变了Pb、I的排布方式，形成特定晶面择优的碘化铅。通过XRD表征，所制备碘化铅在(001)晶面有着更强的取向，即该方法能够制得特定晶面高结晶取向的碘化铅。
📄 2023105357353
📂 C01G21_16
👤 河南大学
📅 2023-05-12
本发明公开了一种凹陷式类单晶硅籽晶熔化控制的装料方法，包括以下步骤：在石英坩埚内表面喷涂氮化硅粉末冷却，作为保护层；在石英坩埚底部铺设一层菜籽料；在菜籽料上铺设籽晶板或者籽晶块，作为定向凝铸半熔工艺的籽晶层；使用小颗粒原生多晶硅料将铺设的籽晶板或者籽晶块之间的缝隙填满；在籽晶层上铺设菜籽料，作为缓冲层；在缓冲层上铺设晶砖，作为阻挡层,阻挡层的晶砖从坩埚壁向坩埚中心渐次降低，形成一个凹陷的结构；在阻挡层上逐层码放硅料，直至达到所需的硅料要求。本发明的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时，会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免边侧籽晶层熔穿和在中心处的籽晶层未熔化的现象。
📄 2017100196701
📂 C30B11_04
👤 南通大学技术转移中心有限公司
📅 2017-01-12
本实用新型公开了一种晶体生产掺杂装置，属于领域，一种晶体生产掺杂装置，包括掺杂机，掺杂机上端固定连接有外环，外环内设置有内环，内环内壁固定连接有过滤板，内环右端开设有通槽，内环右端固定连接有与通槽相适配的C型框，C型框内壁固定连接有外管，外管内滑动连接有内管，且内管靠近内环一端贯穿外管并与内环固定连接，外管内壁与内管之间固定连接有压缩弹簧，内环左端开设有第二条形通口，掺杂机左端固定安装有电机，电机输出轴外端套接有拨动板，拨动板远离电机一端贯穿第二条形通口并延伸至外环内侧，其特征是通过生产原料进行筛选过滤实现有效提高生产掺杂效果，从而有效保障碳化硅晶体的产品质量。
📄 202222135097X
📂 B07B1_22
👤 南京宏泰晶智能装备科技有限公司
📅 2022-08-15
已申报项目
本发明涉及一种晶体高饱和度连续快速生长的控制方法，属于生产过程控制领域。晶体高饱和度连续快速生长系统包括检测装置、执行装置、控制装置和晶体生长装置。载晶架旋转停止时通过晶体尺寸视觉测量装置在线检测生长晶体的尺寸，按规则调节培养罐内生长溶液温度设定值、溶液配制罐内生长溶液温度设定值、生长溶液输送泵的转速设定值。由于溶液配制罐温度大于培养罐生长温度，从而使溶液中溶解的溶质浓度高于生长温度下的平衡溶质浓度，保证进入培养罐的溶液处于过饱和状态。本发明方法提高了大尺寸晶体的生长速度。
📄 2020110262133
📂 C30B29_22
👤 江南大学
📅 2020-09-25
本发明公开了一种高钙、高锰和高含水的顽火辉石单晶的制备方法，所述制备方法是：按照顽火辉石化学计量学，以固态的六水合硝酸镁粉末、固态的四水合硝酸钙粉末、固态的四水合硝酸锰(II)粉末、液态的正硅酸乙酯和无水乙醇浓度作为起始原料制备出混合物圆柱体样品；以固态的天然蛇纹石粉末、固态的天然片水锰矿粉末和固态的天然熟石灰粉末作为原料制备出水源圆片；将水源圆片放置在混合物圆柱体样品两端后；混合物圆柱体样品和水源圆片放入金钯合金样品管内进行高温高压反应制备出高钙、高锰和高含水的顽火辉石单晶；解决了高钙、高锰和高含水顽火辉石单晶的制备技术空白，以获取大颗粒的高含钙、高含锰和高含水的顽火辉石单晶实验样品。
📄 2021113918098
📂 C30B29_34
👤 中国科学院地球化学研究所
📅 2021-11-19
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