发明专利已授权

液相法生长碳化硅的多场耦合网格划分方法、装置和产品

📄 申请号：CN202411431456.3 📄 发布日：2026/07/24

著录项目信息

申请日

2024-10-14

公开号

CN119272521B

公开日

2025-05-02

申请人

西安交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F30_20

IPC 分类号

G06F30_20 , G16C20_10 , G16C10_00 , G06F17_11 , C30B29_36 , C30B15_00 , G06F111_10 ,

技术画像

所属领域

多物理场耦合仿真多物理场耦合仿真网格划分技术数值模拟技术

应用场景

碳化硅晶体生长, 半导体材料制造, 功率半导体器件制造, 晶体生长工艺仿真, 工业数值模拟

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摘要

本申请提供了一种液相法生长碳化硅的多场耦合网格划分方法、装置和产品，涉及单晶生长技术领域，该方法为：根据液相法生长碳化硅系统的结构信息，建立几何模型；按照最大计算网格总量，进行网格划分，得到数值计算模型；基于数值计算模型，模拟多个不同电磁感应加热频率下的电磁感应加热过程、传热流动过程与组分输运过程，得到多组模拟结果；根据多组模拟结果，计算得到目标厚度拟合曲线，包括：浓度边界层厚度拟合曲线、热量边界层厚度拟合曲线和洛伦兹力边界层厚度拟合曲线；根据当前电磁感应加热频率，从厚度拟合曲线中确定多物理场耦合网格的网格厚度，进行网格划分，得到目标数值计算模型。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

液相法生长碳化硅中碳浓度边界层获取方法、装置和产品

当前第 / 件

导模法生长氧化镓晶体界面变形程度确定方法和优化方法

同领域国内专利 · IPC: (G06F30_20)

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：40 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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