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本发明公开了一种用于纳米工艺的电流源注入模型的建立方法，首先确定待评估的晶体管的具体参数，再基于所选纳米工艺在3D TCAD工具中对待评估的晶体管进行建模，通过3D TCAD仿真得到晶体管的等效饱和电压和阈值电压，通过3D TCAD仿真确定晶体管的等效有效收集长度和收集深度，确定待评估的离子类型，及其对应的线性传输能量，设定待评估的注入距离，最终得到相应的离子注入的电流源注入模型。本发明的电流源模型的建立方法基于扩散理论和晶体管原理，结合纳米工艺特点，通过晶体管有效收集长度和晶体管的等效饱和电压等解决解决纳米工艺下器件电荷收集能力有限的问题，从而建立了一种新型的面向纳米工艺的电流源注入模型。

本发明公开了一种联合高斯过程的微带电路半空间映射快速优化方法，属于微波射频电路的计算机辅助设计领域。该方法首先确定微带电路设计指标和需要优化的结构变量，构建粗模型；获得粗模型最佳设计尺寸；判断粗模型最佳设计尺寸是否满足设计指标，若是，则输出结果并结束流程，否则进入下一步；通过对优化方向的判断，按半星状分布选取初始的训练样本和减半的优化空间；训练半空间映射高斯过程模型；优化模型，预测下一代的最优结果并验证；若满足设计指标则结束流程并输出优化结果，否则进行参数提取并更新训练集，进行迭代优化。本发明能够很大程度地提高微带电路的设计效率，降低空间映射技术所需的训练样本数量，加快优化过程中的收敛速度。

本发明涉及一种浮地型分数阶忆阻器的等效电路及其使用方法。其技术方案是：浮地型分数阶忆阻器的等效电路施加激励电压v(t)后通过放大模块(8)、压控移相器(6)、频率/电压转换器(23)等23个模块的作用，能精确模拟分数阶忆阻器的电气特性且精度高，同时能保证通过浮地型分数阶忆阻器的等效电路的端子A和端子D的电流相等；引入的分数阶忆阻器阶次的控制信号α＇能改变分数阶忆阻器的阶次，引入的分数阶忆阻器状态变量初始值的控制信号x0＇能改变分数阶忆阻器状态变量的初始值。浮地型分数阶忆阻器的等效电路的分数阶阶次和分数阶忆阻器状态变量初始值调整方便和易于控制，使用时等效电路的端子A和端子D都能与其他电路中的元件进行任意连接。

本发明属于LED技术领域，具体涉及LED的虚拟驱动模拟方法。所述方法执行以下步骤：步骤1：构建一个驱动单元集成装置；所述驱动单元集成装置中，包括多个驱动单元；所述驱动单元定义为构建驱动电路的最小功能单元；步骤2：实时采集LED的物理参数，以及获取LED的目标驱动信息；步骤3：对采集到的LED的物理参数和目标驱动信息使用预设的数据融合模型进行数据融合，以获得融合参数。其通过计算机来虚拟模拟LED驱动，然后再在一个集成装置中进行临时实现，实现了LED驱动的临时构建，提高了驱动单元的复用率，降低了成本。