本发明提供一种宽输入功率范围双频晶体管基整流器的设计方法。本发明在GaN晶体管基整流器的基础上考虑GaN晶体管输出电容的耗散功率，通过建立耗散功率和GaN晶体管输出电容之间的关系，得到整流效率和输出电容之间的关系式，在不同的输入功率下得到不同的输出阻抗，从而得到对应的输出阻抗设计空间；依据理论阻抗设计空间，使用分支传输线设计输出匹配网络和输入匹配网络。根据逆时二元性原理，在漏极和栅极之间加入相移网络来实现自同步整流器。设定整流器的射频输入信号和栅极输入信号在两个目标频率下相移，并依此完成相移网络的设计。通过基于差分进化策略的改进型多目标粒子群算法对输出匹配网络、输入匹配网络、相移网络进行优化，使得设计的整流器能在大输入功率宽动态范围内保持较高的效率，还可以提高设计的准确度和效率。
📄 2025104778744
📂 G06F30_36
👤 杭州电子科技大学
📅 2025-04-16
一种基于松弛法的电路敏感性路径标识方法，首先，解析电路网表并利用基于基准法的敏感性单元定位方法初始化各单元的敏感性值。接着，对各电路单元实施拓扑排序。然后，基于单元的拓扑排序，利用松弛法完成对电路敏感性路径的标识。本发明利用基于基准化的敏感性单元定位方法给出的各单元敏感性值初始化了互连单元间的权重，从而解决了多输入向量驱动对敏感性路径标识所造成的影响。又以拓扑排序和松弛技术为主要技术手段，在线性时间内实现了面向可靠性的电路敏感性路径的快速有效标识。
📄 2019111523424
📂 G06F30_367
👤 浙江工业大学
📅 2019-11-22
一种半导体异质结IV输出扭曲效应的模型及参数提取方法，该方法基于一个电路模型用来描述窗口层导带势垒对异质结IV特性的影响，所述的电路模型包含三个二极管，即描述PN结中P区和N区耗尽区所对应的两个光二极管以及描述异质结界面窗口层导带势垒导致的旁路二极管。本发明能够利用特征指标对电池出现扭曲效应的原因进行快速归类，然后利用特征指标和材料参数的对应关系定位出现扭曲效应的原因，指导生产或研发工艺的改进。
📄 2024109827210
📂 G06F30_367
👤 浙江工业大学
📅 2024-07-22
本发明公开了一种忆感器的等效模拟电路。本发明包括集成运算放大器U1、U4、乘法器U2和乘法器U3，集成运算放大器U1的8引脚和乘法器U3的7引脚分别作为输入端和输出端，即忆感器的磁通和电流的测试端；集成运算放大器U1用于积分运算、求和运算、加法运算、反相运算；集成运算放大器U1与乘法器U2、乘法器U3相连，乘法器U2、U3实现信号的相乘，集成运算放大器U3实现加法运算以及和二极管实现指数运算。本发明提出了一种实现忆感器特性模拟电路，用以模拟忆感器的磁通‑电流特性，替代实际忆感器进行实验和应用及研究。
📄 2018101110079
📂 G06F30_36
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-02-05
本发明公开了一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法。该方法提供了NC‑MOSFET的剖面结构，在传统MOSFET的金属栅极上添加一层氧化铪（HfO）作为铁电材料，实现负电容的集成制作。建立了NC‑MOSFET的串联等效电容模型，解析了器件的性能参数与负电容的数学关系，并根据电容分压原理，推导内部栅极的电压，明晰了内部电压放大的机制，通过计算CEQ，IDNC，SSNC和DIBLNC的标准差、偏度和峰度，实现了其抑制RDE效应的原理分析和建模。
📄 2018104655941
📂 G06F30_367
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-05-16
本发明公开了一种四阶局部有源忆阻器电路模型。本发明的电路模型包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2和乘法器U3、U4、U5、U6，集成运算放大器U1和乘法器U6分别连接输入端，即局部有源忆阻器的电压和电流的测试端；集成运算放大器U1用于实现积分运算、求和运算和反相运算，将输出信号再返回到乘法器U3，最终求得控制忆导值的状态变量，集成运算放大器U2用于实现反向运算和加法运算，得到需要的忆导控制函数，乘法器U6实现将忆导控制函数和输入的电压量相乘，得到最终的忆阻器电流量。本发明用以模拟局部有源忆阻器的伏安特性，替代实际局部有源忆阻器进行实验和应用及研究。
📄 2018105047360
📂 G06F30_367
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-05-24
本发明公开了一种浮地磁控忆感器仿真器电路。本发明中的电流传输器U1、U2通过外接一个电容，构成积分电路，构成磁通量产生电路。U1将输出连接到乘法器U6，U2将输出经过一个积分电路后连接到U6，乘法器U6对磁通量和磁通量的积分进行乘法运算，并将结果输出到加法器U9。积分器U5同时也将信号传输到乘法器U7，U7对磁通量积分进行自相乘，并将输出传输到U8。乘法器U8对U1的磁通量和U7的磁通量积分的平方相乘，并将输出传输到U9。加法器U9对来自U6和U8的信号进行加法运算，并将输出传输到电流传输器U4。本发明用以模拟忆感器的磁通电流特性，替代实际忆感器进行实验和应用及研究。
📄 2018107569384
📂 G06F30_36
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-07-11
本发明公开发表了一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路，包括运算放大器O1，运算放大器O1的负输入端连接电阻R0的一端并共同连接到外加正弦电压源，电阻R0的的另一端接地，运算放大器O1的正输入端直接与输出端相连，运算放大器O1的输出端还通过电阻R1与运算放大器O2的负输入端连接，运算放大器O2的负输入端与运算放大器O2的输出端通过分数阶电容Cq连接，运算放大器O2的正输入端接地，运算放大器O2的输出端与乘法器M1的两个输入端分别连接，乘法器M1的输出端与乘法器M2的一个输入端连接，乘法器M2的另一个输入端连接外加正弦电压源，所述乘法器M2的输出端连接有反相器，提供了一种可以进行数值仿真和电路仿真的的三次非线性磁控忆阻器电路。
📄 2018114886957
📂 G06F30_367
👤 西安理工大学
📅 2018-12-06
本发明公开了一种Boost型变换器大信号建模方法；本发明增加了建模时的约束条件，提出了基于状态矩阵和输入矩阵共同约束的大信号建模方法，适用于采用不同调制方式的Boost型变换器的大信号建模。本发明使得Boost电路大信号模型更加准确，且不受调制方式的限制，以方便后续等效电路推导。
📄 2018114950192
📂 G06F30_367
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-12-07
本发明公开了一种用于半导体连续性方程的混合流线迎风有限元方法及系统，其方法包括如下步骤：S1、几何模型的空间离散化；S2、网格单元的构造及应用；S3、利用Nedelec边缘基空间将电流密度模型在网格单元相邻段的中心进行插值得到电流密度；S4、单元矩阵方程的构造；S5、通过对求解域中的所有网格单元进行遍历，得到系统矩阵方程。相较于FBSG方法，本发明对空间网格质量要求更低，从而使得收敛性更好；相较于SUPG方法，本发明在迎风函数的多维应用方面进行了优化；相较于FVFEM‑SG方法，本发明在定义人工扩散系数方面更具灵活性。
📄 2021104277672
📂 G06F30_367
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-04-21
本发明公开了基于电流传输器的二次非线性磁控忆阻模拟器，包括积分运算电路、乘法器M1和电阻R2，积分运算电路包括电流传输器U1、电阻R1和电容C1。该二次非线性磁控忆阻模拟器端口a、b的电气特性等效了磁控忆阻器的端口特性，且内部积分运算电路输入电流为0，不需要在输入端串联用于避免负载效应的电压跟随器等电路。该二次非线性磁控忆阻模拟器也省去了绝对值运算电路，只需要使用5个电路元器件，结构简单，便于实现，可广泛地应用到各种忆阻电路(忆阻混沌、忆阻桥突触和忆阻神经元等电路)的设计。
📄 2019104187217
📂 G06F30_36
👤 成都师范学院
📅 2019-05-20
本发明属于限流器与断路器领域，涉及一种快速开关型限流器与断路器的参数优化方法，利用基于快速开关型限流器的断路器开断特性分析模型，得到包括限流电感、断口均压电容、限流器对地电容、断路器对地电容的多个参数与包括瞬态恢复电压峰值、瞬态恢复电压峰值时间、瞬态恢复电压第一参考电压、瞬态恢复电压首峰值时间、限流器开关数量和限流深度的多个标准要求之间的数学模型，建立快速开关型限流器与断路器的参数优化模型，采用遗传算法对模型的参数进行优化。本发明的参数优化方法，不仅可以解决限流器断口的过压问题，还可确保断路器可靠开断，有效地解决限流器与断路器的匹配问题。
📄 2018115244079
📂 G06F30_367
👤 华南理工大学
📅 2018-12-13
柿子坊 · 知识产权运营
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