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本发明提供了一种导模法生长晶体的结晶界面确定方法和装置，涉及晶体生长技术领域。所述方法包括：在目标计算域的温度不平衡的情况下，对目标计算域进行稳态计算，得到温度场；在三维非轴对称结晶界面的温度不满足预设条件的情况下，获取计算参数并根据计算参数，计算目标网格节点的移动参数；按照移动参数，控制目标网格节点进行移动，得到调整后的三维非轴对称结晶界面；在目标计算域的温度平衡、三维非轴对称结晶界面的温度满足预设条件时，将三维非轴对称结晶界面确定为目标结晶界面。本发明实施例实现了目标结晶界面的确定，提高了基于目标结晶界面对目标晶体的生长过程进行控制的准确性。

📄 2024110740557 📂 C30B15_22 👤 西安交通大学 📅 2024-08-07

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预算：¥50-100万截止：2026-08-30发布方：××新能源科技响应：8人

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专利交易市场

一种导模法生长晶体的结晶界面确定方法和装置