一种基于松弛法的电路敏感性路径标识方法，首先，解析电路网表并利用基于基准法的敏感性单元定位方法初始化各单元的敏感性值。接着，对各电路单元实施拓扑排序。然后，基于单元的拓扑排序，利用松弛法完成对电路敏感性路径的标识。本发明利用基于基准化的敏感性单元定位方法给出的各单元敏感性值初始化了互连单元间的权重，从而解决了多输入向量驱动对敏感性路径标识所造成的影响。又以拓扑排序和松弛技术为主要技术手段，在线性时间内实现了面向可靠性的电路敏感性路径的快速有效标识。
📄 2019111523424
📂 G06F30_367
👤 浙江工业大学
📅 2019-11-22
一种半导体异质结IV输出扭曲效应的模型及参数提取方法，该方法基于一个电路模型用来描述窗口层导带势垒对异质结IV特性的影响，所述的电路模型包含三个二极管，即描述PN结中P区和N区耗尽区所对应的两个光二极管以及描述异质结界面窗口层导带势垒导致的旁路二极管。本发明能够利用特征指标对电池出现扭曲效应的原因进行快速归类，然后利用特征指标和材料参数的对应关系定位出现扭曲效应的原因，指导生产或研发工艺的改进。
📄 2024109827210
📂 G06F30_367
👤 浙江工业大学
📅 2024-07-22
本发明公开了一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法。该方法提供了NC‑MOSFET的剖面结构，在传统MOSFET的金属栅极上添加一层氧化铪（HfO）作为铁电材料，实现负电容的集成制作。建立了NC‑MOSFET的串联等效电容模型，解析了器件的性能参数与负电容的数学关系，并根据电容分压原理，推导内部栅极的电压，明晰了内部电压放大的机制，通过计算CEQ，IDNC，SSNC和DIBLNC的标准差、偏度和峰度，实现了其抑制RDE效应的原理分析和建模。
📄 2018104655941
📂 G06F30_367
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-05-16
本发明公开了一种四阶局部有源忆阻器电路模型。本发明的电路模型包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2和乘法器U3、U4、U5、U6，集成运算放大器U1和乘法器U6分别连接输入端，即局部有源忆阻器的电压和电流的测试端；集成运算放大器U1用于实现积分运算、求和运算和反相运算，将输出信号再返回到乘法器U3，最终求得控制忆导值的状态变量，集成运算放大器U2用于实现反向运算和加法运算，得到需要的忆导控制函数，乘法器U6实现将忆导控制函数和输入的电压量相乘，得到最终的忆阻器电流量。本发明用以模拟局部有源忆阻器的伏安特性，替代实际局部有源忆阻器进行实验和应用及研究。
📄 2018105047360
📂 G06F30_367
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-05-24
本发明公开发表了一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路，包括运算放大器O1，运算放大器O1的负输入端连接电阻R0的一端并共同连接到外加正弦电压源，电阻R0的的另一端接地，运算放大器O1的正输入端直接与输出端相连，运算放大器O1的输出端还通过电阻R1与运算放大器O2的负输入端连接，运算放大器O2的负输入端与运算放大器O2的输出端通过分数阶电容Cq连接，运算放大器O2的正输入端接地，运算放大器O2的输出端与乘法器M1的两个输入端分别连接，乘法器M1的输出端与乘法器M2的一个输入端连接，乘法器M2的另一个输入端连接外加正弦电压源，所述乘法器M2的输出端连接有反相器，提供了一种可以进行数值仿真和电路仿真的的三次非线性磁控忆阻器电路。
📄 2018114886957
📂 G06F30_367
👤 西安理工大学
📅 2018-12-06
本发明公开了一种Boost型变换器大信号建模方法；本发明增加了建模时的约束条件，提出了基于状态矩阵和输入矩阵共同约束的大信号建模方法，适用于采用不同调制方式的Boost型变换器的大信号建模。本发明使得Boost电路大信号模型更加准确，且不受调制方式的限制，以方便后续等效电路推导。
📄 2018114950192
📂 G06F30_367
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-12-07
本发明公开了一种用于半导体连续性方程的混合流线迎风有限元方法及系统，其方法包括如下步骤：S1、几何模型的空间离散化；S2、网格单元的构造及应用；S3、利用Nedelec边缘基空间将电流密度模型在网格单元相邻段的中心进行插值得到电流密度；S4、单元矩阵方程的构造；S5、通过对求解域中的所有网格单元进行遍历，得到系统矩阵方程。相较于FBSG方法，本发明对空间网格质量要求更低，从而使得收敛性更好；相较于SUPG方法，本发明在迎风函数的多维应用方面进行了优化；相较于FVFEM‑SG方法，本发明在定义人工扩散系数方面更具灵活性。
📄 2021104277672
📂 G06F30_367
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-04-21
本发明属于限流器与断路器领域，涉及一种快速开关型限流器与断路器的参数优化方法，利用基于快速开关型限流器的断路器开断特性分析模型，得到包括限流电感、断口均压电容、限流器对地电容、断路器对地电容的多个参数与包括瞬态恢复电压峰值、瞬态恢复电压峰值时间、瞬态恢复电压第一参考电压、瞬态恢复电压首峰值时间、限流器开关数量和限流深度的多个标准要求之间的数学模型，建立快速开关型限流器与断路器的参数优化模型，采用遗传算法对模型的参数进行优化。本发明的参数优化方法，不仅可以解决限流器断口的过压问题，还可确保断路器可靠开断，有效地解决限流器与断路器的匹配问题。
📄 2018115244079
📂 G06F30_367
👤 华南理工大学
📅 2018-12-13
本发明公开了一种适用于三相四桥臂构网型变流器的阻抗建模方法，属于构网变流器建模领域，根据主电路结构建立dq0坐标系下的输出阻抗模型，通过拉氏变换得到复频域下的全响应模型，并列写小信号扰动在主电路中传递路径的传递函数，根据VSG的有功功率控制环节列写小信号扰动对于参考角度影响的传递函数，并列写系统变量到控制变量的小信号扰动的传递函数，绘制小信号扰动传递路径的拓扑结构以及信号流图，通过梅森公式化简，得到dq0坐标系下三相四桥臂构网型变流器的输出阻抗模型，通过等效矩阵得到正负零序阻抗模型。本发明在三相四桥臂构网型变流器的建模过程中考虑了零序阻抗，得到了完整的序阻抗模型，有助于不平衡条件下的阻抗分析。
📄 2024105403360
📂 G06F30_367
👤 燕山大学
📅 2024-04-30
本发明涉及SPICE行为模型建立、电力电子电路设计和闭环控制仿真领域，尤其是涉及的是一种适用于SPICE电路仿真的脉冲频率调制器的行为模型，该模型利用SPICE程序中的表达式功能建立脉冲频率调制器来模拟脉冲频率调制行为模型，该模型包括第一调制信号电路、第二调制信号电路、第三调制信号电路、第一比较器以及第二比较器。本发明中压控电压源的电压输入端输入的是两个电压信号，一个为与输入脉冲频率调制器的控制频率等值的电压信号，另一个为与输入脉冲频率调制器的苏区时间等值的电压信号，使得该行为模型输出的频率具有可调节性且含有死区时间。
📄 2021110953390
📂 G06F30_367
👤 闽南理工学院
📅 2021-09-17
本发明公开了一种变压器模型及其计算方法，属于隔离型多端口变换器技术领域，包括n个等效电阻和#imgabs0#个等效电感，等效电感其中包括1个等效励磁电感Lm、n个等效自电感和#imgabs1#个等效互电感；通过该计算方法，可以将多绕组变压器等效为T‑π模型和π模型，该等效模型只包括电感和电阻，其中T‑π模型可以用来设计变压器，分析变压器损耗和磁芯饱和，设计多端口变换器电路参数，π模型可以用来优化变换器性能与效率，推导多端口变换器电路平均功率传输方程。本发明能够用来优化多端口电路设计、准确计算多端口变换器各个端口的传输功率和优化多端口变换器的效率等问题。
📄 202311019131X
📂 G06F30_367
👤 燕山大学
📅 2023-08-14
本发明公开了一种弯曲声表面波器件的多参数寻优方法及系统，方法包括：构建不同应变条件下的声表面波器件的理论模型；求解所述耦合波动方程，得到在不同应变条件下声表面波在压电材料中的传播速度；获取与所述传播速度相关联的弯曲声表面波器件的至少一个结构参数；根据预设的全局拓扑优化网络对所述至少一个结构参数进行全局寻优，得到与所述至少一个结构参数相对应的目标结构参数。采用一种全局拓扑优化网络，利用梯度的反向传播，对器件的结构参数进行智能设计，通过有限元仿真计算生成器件的品质因数值，最终输出生成器件的品质因数分布情况，能够解决现有技术无法实现轴承弯曲表面多参数的准确实时测量的问题。
📄 2025102736624
📂 G06F30_367
👤 华东交通大学
📅 2025-03-10
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