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本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉下盖总成，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括炉体下盖，炉体下盖的底部固定连接有盖板，炉体下盖的一侧设有抽气口，盖板的轴心位置贯穿设有转轴，转轴通过轴套固定连接在盖板上；盖板的下方固定设有用于转轴旋转的驱动机构；转轴位于炉体下盖内的一端上固定设有托盘，托盘上固定设有用于放置石墨坩埚的石英管。本实用新型可使放置在炉体内部的石墨坩埚进行旋转，使碳化硅晶体生长的原料受热更加均匀，确保了原料区域气化的量保持一致，另外可使气化上升的原料以旋转的方式落入到籽晶区域，连续不断的这种旋转升华堆叠，可有效提高结晶的一致性，从而提高碳化硅晶体的结晶品质。

本实用新型公开了一种自动供气式碳化硅晶体生长炉，涉及晶体生长炉技术领域，包括支撑架、生长炉，生长炉内设有生长器主体，生长器主体与生长炉内壁构成内腔，生长炉两侧设有通气管，一侧的通气管内设有单向阀，另一侧的通气管贯穿调节室，调节室与生长炉相连，调节室设有旋转盘，旋转盘设有通气孔与封闭垫，生长炉设有固定架，固定架上设有电机，电机的旋转轴设有旋转涡轮，旋转盘的侧边处设有齿纹，旋转涡轮与旋转盘之间齿纹相连，固定架一侧设有检测仪，检测仪的检测柱延伸至内腔内。本实用新型在生长器内对碳化硅进行晶体生长时，其上的通气管根据内部的具体情况进行供气，且设有不同的供气速度，实用性强，适合推广。

本发明属于二维晶体制备领域。一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法，其特征在于包括如下步骤：第一步，首先将硅片进行超声波清洗，然后将清洗后的硅片放入基片台上，基片台位于腔体内，对腔体抽真空；第二步，向腔体通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，使气体吸收微波能量产生等离子体；第三步，打开脉冲电源，调节腔体中钼电极和基片台之间的电压，使钼电极和基片台之间产生弧光放电，调节脉冲的时间控制弧光的产生时间；第四步，待反应结束后，关闭脉冲电源，待腔体内腔室冷却后，取出样品，得到碳化钼晶体。该方法解决了微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)中钼引入较难的问题，并且能够较好的控制钼的摄入量，获得较纯的碳化钼晶体。